[发明专利]供电检测装置与方法

权利要求书

1.一种供电检测装置，包括：

一电压检测单元，用以接收一输入电压，并检测所述输入电压藉以输出一第一输出电压，所述电压检测单元包括：

一第一晶体管，所述第一晶体管耦接于所述输入电压；

一第二晶体管，所述第二晶体管耦接于所述输入电压；

一第三晶体管，所述第三晶体管耦接于一接地端；

一第四晶体管，所述第四晶体管耦接于所述接地端；

一第一电阻，所述第一电阻耦接于所述第一晶体管与所述第三晶体管之间；

一第二电阻，所述第二电阻耦接于所述第二晶体管与所述第四晶体管之间；

一第三电阻，所述第三电阻的一端耦接于所述输入电压，所述第三电阻的另一端耦接于所述第一晶体管与所述第二晶体管；以及

一比较器，所述比较器的输出端输出所述第一输出电压，所述比较器的负输入端耦接于所述第三晶体管与所述第一电阻的共同接点，所述比较器的正输入端耦接于所述第二晶体管与所述第二电阻的共同接点。

2.如权利要求1所述的供电检测装置，其中所述第一晶体管与所述第二晶体管为PMOS晶体管，所述第一晶体管的源极耦接于所述输入电压，所述第一晶体管的漏极耦接于所述第一晶体管的栅极与所述第一电阻，所述第二晶体管的源极耦接于所述输入电压，而所述第二晶体管的漏极耦接于所述第二晶体管的栅极与所述第二电阻。

3.如权利要求1所述的供电检测装置，其中所述第三晶体管与所述第四晶体管为NMOS晶体管，所述第三晶体管的源极耦接于所述接地端，所述第三晶体管的漏极耦接于所述第三晶体管的栅极与所述第一电阻，所述第四晶体管的源极耦接于所述接地端，而所述第四晶体管的漏极耦接于所述第四晶体管的栅极与所述第二电阻。

4.一种供电检测装置，包括：

一电压检测单元，用以接收一输入电压，并检测所述输入电压藉以输出一第一输出电压，且当所述输入电压的电压值等于一指定电压时，根据所述电压检测单元内的一第一晶体管的一第一过载电压、所述电压检测单元内的一第二晶体管的一第二过载电压、所述第一晶体管的一第一热电压及所述第二晶体管的一第二热电压决定所述指定电压；

一滤波器，耦接于所述电压检测单元，用以接收所述第一输出电压以产生一第二输出电压，且当所述第一输出电压上升至逻辑高电位时，关闭所述滤波器内的一第三晶体管以使所述第二输出电压上升至逻辑高电位；以及

一触发器，耦接于所述滤波器，用以接收所述第二输出电压并进行抗噪声处理，藉以输出一第三输出电压。

5.如权利要求4所述的供电检测装置，其中当通过所述第一晶体管的一第一电流和通过所述第二晶体管的一第二电流相等时，所述指定电压根据所述第一过载电压、所述第二过载电压、所述第一热电压、所述第二热电压和一正温度系数参数而得，而所述正温度系数参数根据一次临界斜率因数、一临界电压及一比值而得，而所述比值根据所述电压检测单元内的一第一电阻与所述电压检测单元内的一第二电阻的比例而得。

6.如权利要求5所述的供电检测装置，其中所述第一过载电压和所述第二过载电压具有正温度系数，所述第一热电压及所述第二热电压具有负温度系数，通过控制所述第一过载电压、所述第二过载电压、所述正温度系数参数、所述第一热电压及所述第二热电压以在温度变化时，降低所述指定电压的变化。

7.如权利要求4所述的供电检测装置，其中所述电压检测单元还包括一比较器，所述比较器的一第一输入端耦接于所述第二晶体管，所述比较器的一第二输入端耦接于所述第一晶体管，且当所述第一输入端的接收电压与所述第二输入端的接收电压相等时，所述输入电压的电压值等于所述指定电压。

8.一种供电检测方法，包括：

接收一输入电压，并检测所述输入电压藉以输出一第一输出电压，且当一第一输入端的接收电压与一第二输入端的接收电压相等时，所述输入电压的电压值等于一指定电压，根据一第一过载电压、一第二过载电压、一第一热电压及一第二热电压决定所述指定电压；

接收所述第一输出电压以产生一第二输出电压，且当所述第一输出电压上升至逻辑高电位时，使所述第二输出电压上升至逻辑高电位；以及

接收所述第二输出电压并进行抗噪声处理，藉以输出一第三输出电压。