[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
| 申请号: | 200910127597.5 | 申请日: | 2009-03-23 |
| 公开(公告)号: | CN101567380A | 公开(公告)日: | 2009-10-28 |
| 发明(设计)人: | 权度县;李一正;任忠烈;卢大铉;余钟模;刘喆浩 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/84;H01L29/423;H01L51/52;H01L21/283 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭鸿禧;杨 静 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造有机发光显示装置的方法,所述方法包括如下步骤:
形成第一导电层和第一导电层上的第二导电层,第一导电层形成在基底 上;
在第二导电层的与将要形成栅电极的位置对应的第一区域上和在第二导 电层的与将要形成像素电极的位置对应的第二区域上形成图案化的光致抗蚀 剂层,其中,图案化的光致抗蚀剂层在第一区域处的厚度大于在第二区域处 的厚度;
通过去除第一导电层没有被图案化的光致抗蚀剂层覆盖的一部分和第二 导电层的没有被图案化的光致抗蚀剂层覆盖的一部分,将第一导电层和第二 导电层图案化,并去除第二区域上的图案化的光致抗蚀剂层;
通过同一次蚀刻工艺,去除第二区域的第二导电层以形成像素电极,并 去除第一区域上剩余的图案化的光致抗蚀剂层以形成栅电极。
2.如权利要求1所述的方法,其中,第一导电层由透明导电材料形成。
3.如权利要求1所述的方法,其中,第一导电层由比形成第二导电层的 材料难蚀刻的材料形成。
4.如权利要求1所述的方法,其中,第一导电层由氧化铟锡、氧化铟锌 或In2O3形成,第二导电层由Mo、W、Al、Cu、Ag或它们的合金形成。
5.如权利要求1所述的方法,其中,顺序地形成第一导电层和第二导电 层。
6.如权利要求1所述的方法,其中,同时形成第一导电层和第二导电层。
7.如权利要求1所述的方法,其中,沿厚度方向部分去除第一区域上的 图案化的光致抗蚀剂层,同时去除第二区域上的图案化的光致抗蚀剂层。
8.如权利要求1所述的方法,其中,利用半色调掩模来执行在第一区域 和第二区域上形成图案化的光致抗蚀剂层的步骤。
9.如权利要求1所述的方法,所述方法还包括在第一区域和第二区域上 形成图案化的光致抗蚀剂层的同时,在第二导电层的与将要形成电连接到栅 电极的布线的位置对应的第三区域上形成图案化的光致抗蚀剂层,其中,第 三区域上的图案化的光致抗蚀剂层的厚度大于第二区域上的图案化的光致抗 蚀剂层的厚度,所述方法还包括在从第一区域去除图案化的光致抗蚀剂层和 从第二区域去除第二导电层的同时,从第三区域去除图案化的光致抗蚀剂层。
10.如权利要求9所述的方法,其中,第三区域上的图案化的光致抗蚀 剂层的厚度等于第一区域上的图案化的光致抗蚀剂层的厚度。
11.如权利要求9所述的方法,其中,利用半色调掩模来执行在第一区 域、第二区域和第三区域上形成图案化的光致抗蚀剂层的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





