[发明专利]薄膜晶体管、其制造方法及有机发光二极管显示装置有效
| 申请号： | 200910127094.8 | 申请日： | 2009-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101546782A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 朴炳建;徐晋旭;梁泰勋;李吉远;李东炫 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 康 泉;宋志强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 有机 发光二极管 显示装置 | ||
1.一种制造薄膜晶体管的方法，该方法包括：
通过利用结晶诱导金属将非晶硅层结晶成多晶硅层来在基板上形成半导体层；
在所述半导体层上形成栅极绝缘层，从而使所述半导体层的边缘暴露；
利用所述栅极绝缘层作为掩模，将N型杂质注入所述半导体层的暴露的边缘；
将所述基板退火，以将保留在所述半导体层中的所述晶体诱导金属吸除到所述半导体层的暴露的边缘中；
在所述栅极绝缘层上形成与所述半导体层的暴露的边缘接触的栅电极；
在所述栅电极上形成层间绝缘层；以及
在所述层间绝缘层上形成分别被电连接至所述半导体层的源极区和漏极区的源电极和漏电极。
2.根据权利要求1所述的制造薄膜晶体管的方法，其中所述半导体层的暴露的边缘被连接至所述半导体层的沟道区。
3.根据权利要求2所述的制造薄膜晶体管的方法，其中所述半导体层的暴露的边缘的宽度不大于0.1μm。
4.根据权利要求1所述的制造薄膜晶体管的方法，其中形成半导体层和栅极绝缘层包括：
在所述基板上形成多晶硅层；
在所述多晶硅层上沉积绝缘层；以及
在所述多晶硅层和所述绝缘层上执行一次图案化工艺以形成所述半导体层和所述栅极绝缘层。
5.根据权利要求4所述的制造薄膜晶体管的方法，其中在所述多晶硅层和所述绝缘层上执行一次图案化工艺包括使所述绝缘层的临界尺寸偏差大于所述多晶硅层的临界尺寸偏差。
6.根据权利要求1所述的制造薄膜晶体管的方法，其中退火在450℃到900℃的温度下执行30秒到10小时。
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