[发明专利]开关电源装置有效
| 申请号: | 200910126710.8 | 申请日: | 2009-01-22 |
| 公开(公告)号: | CN101494421A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
| 发明(设计)人: | 西川幸广 | 申请(专利权)人: | 富士电机电子技术株式会社 |
| 主分类号: | H02M3/337 | 分类号: | H02M3/337;H02M1/08 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 开关电源 装置 | ||
技术领域
本发明涉及开关电源装置,特别涉及获得与商用交流电源绝缘的 直流输出的绝缘型DC-DC变换器(converter)。
背景技术
在获得与商用交流电源绝缘的直流输出的情况下,一般通过绝缘 型DC-DC变换器从将交流电压整流平滑后的直流中间电压得到直流输 出。另外,在采用输入电流的高谐波标准的电源装置中,从交流电源 经升压斩波电路得到直流中间电压。
开关电源装置要求高效率、低噪音、小型、低成本、高可靠性, 为了实现这些提出有各种电路方式。
图5是这种开关电源装置的例子,与例如专利文献1、2中记载的 绝缘型DC/DC变换器的电路结构大致相同。
以下,参考图6的波形图对图5的动作进行说明。
图5中的FB1是对输出电压Vo和输出电压设定值之间的误差进行 放大的反馈电路。Cont1是控制电路,其在设定的固定频率fs(=1/T) 下,设置死区时间(dead time)Td1、Td2,交替地将MOSFET的Q1、 Q2导通、断开(on、off)。同时,根据反馈电路的输出信号VFB控制 元件Q1、Q2的导通占空比(on-duty)D,将输出电压Vo控制为一定。
变压器T1、T2由以励磁电感Lm1、Lm2、漏电感Lr1、Lr2、初 级绕组圈数Np1、Np2和次级绕组圈数Ns1、Ns2表示的等价电路表示。
电容器Cr起到断开流入T1、T2的初级绕组(primary winding) 的电流中的直流电流并防止极端的磁场偏移的作用。
电感元件Lz在元件Q1、Q2的开关时与电容器Cs进行部分共振 动作,使Q1、Q2进行零电压开关。其中,Lz能够由T1、T2的漏电 感Lr1和Lr2代替,因此可以省略。在以下的说明中,省略Lz。另外, Cs也可以由Q1、Q2的寄生电容代替而省略。
T1的初级电感(Lm1+Lr1)、T2的初级电感(Lm2+Lr2)和电 容器Cr的串联电路的共振频率通过采用为相对于开关频率fs足够低的 值,使得流入Q1、Q2的电流IQ1、IQ2直线地上升。
在开关元件Q1导通(on)期间(t0<t<t3),由直流电源经T1 向负载侧供给能量,T2起到扼流线圈(choke coil)的作用。另一方面, 在元件Q2导通期间(t3<t<t0),由电容器Cr经T2向负载侧供给能 量,T1起到扼流线圈的作用。
在时刻t=t0处Q2从导通切换到断开时,整流二极管D1导通, 电流以Vo/(Lr1+Lr2)的斜率增加。在Q2断开时,流入整流二极管 D2的电流ID2以-Vo/(Lr1+Lr2)的斜率减少,在t=t2处ID2为零时 D2断开。另外,当在t=t3处Q1从导通切换为断开时,ID1以-Vo/(Lr1 +Lr2)的斜率减少,当在t=t5处ID1为零时D1断开。流入D2的电 流以Vo/(Lr1+Lr2)的斜率增加。
图8是另一开关电源装置的例子,表示与例如专利文献3中记载 的绝缘型DC/DC变换器大致相同的电路结构。
以下,参照图9的波形图对图8的动作进行说明。
控制电路Cont1,令导通占空比D=0.5,设置死区时间Td1、Td2, 交替地导通、断开Q1、Q2,根据反馈电路的输出信号VFB控制Q1、 Q2的开关频率fs,由此将输出电压Vo控制为一定。
变压器T3以由励磁电感Lm、漏电感Lr、初级绕组圈数Np1和次 级绕组圈数Ns1、Ns2构成的等价电路表示。
电容器Cr起到断开流入T1的初级绕组中的电流的直流电流并防 止极端的磁场偏移的作用,并且还起到使T1的励磁电感Lm、漏电感 Lr和电感元件Lz共振的作用。
电感元件Lz在元件Q1、Q2的开关时与电容器Cs进行部分共振 动作,使元件Q1和Q2进行零电压开关。其中,Lz可以由T1的漏电 感Lr代替而省略。在以下的说明中省略Lz。另外,Cs也可以由Q1、 Q2的寄生电容代替而省略。
当Q1导通时,漏电感Lr和共振电容器Cr共振,IQ1和ID1成为 正弦波形。当在时刻t=t3处ID1为零时,D1断开,T1的初级电感(Lm +Lr)和Cr共振,频率低的正弦波的电流流入MOSFET Q1中。
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