[发明专利]具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置无效
| 申请号: | 200910126493.2 | 申请日: | 2009-03-11 |
| 公开(公告)号: | CN101832518A | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
| 发明(设计)人: | 刘文煌;段忠;陈长安 | 申请(专利权)人: | 旭明光电股份有限公司 |
| 主分类号: | F21V9/10 | 分类号: | F21V9/10;F21V23/06;H01L33/00;F21Y101/02 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默闻 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 复合 萤光 发光二极管 发光 装置 | ||
1.一种具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置,其特征在于,所述包括:
多组发光二极管,所述多组发光二极管中的至少两组彼此具有不同的发光峰值波长;
多组萤光体层,分别覆盖在所述多组发光二极管中所对应的各组发光二极管上,所述多组萤光体层中的至少一组萤光体层能够受到所述对应的发光二极管所发出的部分光的激发,而发出主波长约在500nm至580m的范围内的光;以及所述多组萤光体层中的至少另一组萤光体层能够受到所述对应的发光二极管所发出的部分光的激发,而发出主波长约在590nm至650nm的范围内的光;及
一输入端子,连接所述发光装置,并且用以对所述发光装置提供能量而使所述发光装置发光。
2.如权利要求1的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置,其特征在于,所述多组发光二极管的发光峰值波长在360nm至490nm范围内。
3.如权利要求1的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置,其特征在于,所述多组发光二极管中的任一组包括至少一半导体发光个体。
4.如权利要求1的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置,其特征在于,所述多组发光二极管是并联连接。
5.如权利要求1的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置,其特征在于,所述多组发光二极管是串联连接。
6.如权利要求3的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置,其特征在于,所述多组发光二极管中的所述发光二极管个体是并联连接。
7.如权利要求3的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置,其特征在于,所述多组发光二极管中的所述发光二极管个体是串联连接。
8.如权利要求3的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置,其特征在于,所述多组发光二极管中的至少两组所包括的所述发光二极管个体数目为相等。
9.如权利要求3的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置,其特征在于,所述多组发光二极管中的至少两组所包括的所述发光二极管个体数目为不相等。
10.如权利要求3的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置,其特征在于,所述多组发光二极管中的所述发光二极管个体是相同尺寸。
11.如权利要求3的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置,其特征在于,所述多组发光二极管中的所述发光二极管个体是不同尺寸。
12.如权利要求1的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置,其特征在于,所述多组发光二极管能够被分别控制。
13.如权利要求3的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置,其特征在于,所述多组发光二极管中的所述发光二极管个体能够被分别控制。
14.如权利要求1的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置,其特征在于,所述多组萤光体层中的任一组包括至少一层萤光层。
15.如权利要求1的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置,其特征在于,所述多组萤光体层具有半球形表面、凸形表面、或平坦表面。
16.如权利要求3的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置,其特征在于,所述多组萤光体层所覆盖的所述发光二极管个体的数量为相等,或为不相等。
17.如权利要求1的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置,其特征在于,所述多组萤光体层彼此毗邻接触而不重迭。
18.如权利要求1的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置,其特征在于,所述发光装置更包括具有反射内面的一凹型结构,所述多组发光二极管设置于所述凹型结构的所述反射内面上,且所述凹型结构的所述反射内面能够将所述多组发光二极管与所述多组萤光体层所发出的光加以反射。
19.如权利要求1的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置,其特征在于,所述发光装置更包括覆盖于所述多组萤光体层之上的一透明层。
20.如权利要求19的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置,其特征在于,所述透明层包括下列至少其中之一透明材料:环氧树脂、硅氧树脂、聚亚酰胺树脂、玻璃、石英、丙烯酸树脂、聚碳酸酯、或聚对二甲苯。
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