[发明专利]一种高精度可控电流源无效
申请号: | 200910126486.2 | 申请日: | 2009-03-11 |
公开(公告)号: | CN101557669A | 公开(公告)日: | 2009-10-14 |
发明(设计)人: | 石立勇;许乐平;朱樟明 | 申请(专利权)人: | 深圳市民展科技开发有限公司 |
主分类号: | H05B37/02 | 分类号: | H05B37/02;G09G3/14;G09F9/33 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 许 静 |
地址: | 518057广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高精度 可控 电流 | ||
技术领域
本发明属于模拟集成电路领域,尤其涉及一种高精度可控电流源。
背景技术
LED显示屏从八十年代后期兴起,在短短的十几年中,LED显示屏作为 一项高科技产品引起了社会的广泛关注。采用微机控制,将光、电融为一体的 LED显示屏已成为重要的现代信息发布的手段,在证券交易、金融、交通、 体育、广告等领域得到广泛的应用。LED显示屏主要由发光二极管(LED) 及其驱动电路组成的显示单元拼接而成,因此LED显示屏的显示效果(如亮 度、色彩等)与它所采用的驱动控制电路密切相关。
为获得较好的显示效果,LED都采用恒流驱动,通过驱动电路可以获得 良好而平稳的电流使LED显示更加均匀,并延长其寿命;同时驱动电流的大 小也决定了LED的亮度和色彩。这样,高精度的可控电流源设计将是整个LED 驱动设计中的重要一环。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种高精度可控电流源。
本发明提供的高精度可控电流源,包括:
电压电流转换电路,用于对基准电压进行转换,生成第一电流;
电流镜电路,用于将所述第一电流转换为第二电流;
输出电路,用于将所述第二电流转换为第三电流输出,并使得输出电流恒 定。
优选地,所述电压电流转换电路包括第一NMOS晶体管、第一运算放大 器和第一电阻,其中:
所述第一NMOS晶体管的源极通过所述第一电阻接地,漏极接所述电流 镜电路的输入,栅极接所述第一运算放大器的输出;
所述第一运算放大器的正向输入端接基准电压,反向输入端连接于所述第 一NMOS晶体管的源极和所述第一电阻之间。
优选地,所述电流镜电路包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、 第三PMOS晶体管和第二运算放大器,其中:
所述第一PMOS晶体管的源极接电源,漏极接所述电压电流转换电路的 输出,栅极和漏极短接,栅极还接所述第二PMOS晶体管的栅极以及所述第 二运算放大器的正向输入端;
所述第二PMOS晶体管的源极接电源,漏极接所述第三PMOS晶体管的 源极以及所述第二运算放大器的反向输入端;
所述第三PMOS晶体管的栅极接所述第二运算放大器的输出,漏极接所 述输出电路的输入。
优选地,所述输出电路包括第三运算放大器、第四运算放大器、第五运算 放大器、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第 二电阻和第三电阻,其中:
所述第三运算放大器的正向输入端接基准电压,反向输入端和输出短接并 通过串联的所述第二电阻、第三电阻接地;
所述第四运算放大器的反向输入端接所述第二电阻和第三电阻的公共端, 正向输入端接所述第二NMOS晶体管的漏极;
所述第二NMOS晶体管的源极接地,漏极接所述电压电流转换电路的输 出以及所述第五运算放大器的正向输入端,栅极接所述第四运算放大器的输 出;
所述第三NMOS晶体管的源极接地,栅极接所述第四运算放大器的输出, 漏极接所述第五运算放大器的反向输入端以及所述第四NMOS晶体管的源 极;
所述第四NMOS晶体管的栅极接所述第五运算放大器的输入,漏极为所 述高精度可控电流源的输出端。
本发明的高精度可控电流源结构简单,易于实现,能够应用于LED驱动 电路中。
附图说明
图1为本发明实施例的高精度可控电流源的结构图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点表达得更加清楚明白,下面结合附图 及具体实施例对本发明再作进一步详细的说明。
首先,对本发明所涉及的专业术语进行说明:
PMOS:P-channel metal oxide semiconductor FET,P沟道金属氧化物半导 体场效应晶体管;
NMOS:N-channel metal oxide semiconductor FET,N沟道金属氧化物半导 体场效应晶体管。
参照图1,本发明实施例的高精度可控电流源,包括电压电流转换电路10、 电流镜电路20和输出电路30,其中:
电压电流转换电路10,用于对基准电压进行转换,生成第一电流I1;
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