[发明专利]在SIN和TIN之间引入金属层以改善P-TSV的CBD接触电阻

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

配置在半导体衬底中的穿透硅通孔(TSV)；

形成在所述半导体衬底上的导电焊点，所述导电焊点与所述TSV沟槽邻接；

设置在所述导电焊点上且在所述TSV沟槽内的氮化硅层；

设置在所述氮化硅层上的钛层；

设置在所述钛层上的氮化钛层；和

设置在所述氮化钛层上的铜层。

2.根据权利要求1所述的集成电路，还包括插入在所述半导体衬底和所述氮化硅层之间的第一钝化层。

3.根据权利要求2所述的集成电路，还包括插入在所述第一钝化层和所述氮化硅层之间的第二钝化层。

4.根据权利要求3所述的集成电路，还包括插入在所述第二钝化层和所述氮化硅层之间的氧化硅层。

5.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述第一钝化层包括氧化硅，或所述第二钝化层包括氮化硅。

6.根据权利要求1所述的集成电路，还包括配置在所述半导体衬底上的多层互连(MLI)结构，所述多层互连结构在所述导电焊点第一钝化层之下，且与所述导电焊点连接。

7.根据权利要求1所述的集成电路，还包括形成在所述半导体衬底中的器件，所述器件从由晶体管、成象传感器、微机械系统(MEMS)结构、电容器、和其组合构成的组中选取。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中，通过离子金属等离子(IMP)技术形成所述钛层，或通过物理气相淀积(PVD)技术形成所述钛层。

9.根据权利要求1所述的集成电路，其中，还对所述钛层进行退火。

10.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述钛层包括在50埃和1200埃之间的厚度范围。

11.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述铜层包括：

通过PVD技术形成的铜籽层；和

通过电镀在所述铜籽层上形成的体铜层。

12.根据权利要求1所述的集成电路，还包括插入在所述氮化钛层和所述铜层之间的另一个钛层。

13.一种集成电路，包括：

设置在衬底上的导电焊点；

设置在所述衬底上和所述导电焊点的侧壁上的钝化层；

设置在所述导电焊点和所述钝化层上的氧化硅层；

设置在所述氧化硅层上的氮化硅层；

设置在所述氮化硅层上的钛层；

设置在所述钛层上的氮化钛层；和

设置在所述氮化钛层上的铜层。

14.根据权利要求13所述的集成电路，其中，所述铜层包括通过物理气相淀积形成的铜籽层和通过电镀在所述铜籽层上形成的体铜层。

15.根据权利要求13所述的集成电路，还包括配置在所述衬底中的穿透硅通孔(TSV)构形，所述TSV构形与所述导电焊点相邻并且与所述导电焊点连接。