[发明专利]透明电极被覆基板的水分去除方法

权利要求书

1.一种透明电极被覆基板的水分去除方法，包括：

将透明电极被覆基板放入红外线炉的阶段；

在上述红外线炉内对上述基板进行加热的阶段，其中上述基板在上述红外线炉内移动的过程中，上述红外线炉在大气压下向上述基板进行加热；

将上述基板从上述红外线炉搬出的阶段；

将上述基板装载在室内的阶段；和

降低室内的压力对上述基板进行热处理的阶段，

其中，上述放入红外线炉的阶段、上述红外线炉内进行加热的阶段和上述基板从上述红外线炉搬出的阶段所需的时间为60sec至180sec。

2.根据权利要求1所述的透明电极被覆基板的水分去除方法，其特征在于：上述红外线炉内的温度为120℃至200℃。

3.根据权利要求1所述的透明电极被覆基板的水分去除方法，其特征在于：上述红外线炉内的温度为150℃至200℃。

4.根据权利要求1所述的透明电极被覆基板的水分去除方法，其特征在于：将上述室内的压力降低到10^-7Torr至10^-3Torr。

5.根据权利要求1所述的透明电极被覆基板的水分去除方法，其特征在于：上述室内的温度为150℃至200℃。

6.根据权利要求1所述的透明电极被覆基板的水分去除方法，其特征在于：上述室内的热处理时间为60sec至180sec。

7.根据权利要求1所述的透明电极被覆基板的水分去除方法，其特征在于：上述透明电极包括氧化锌、氧化锡、氧化铟锌、氧化铟锡之一。

8.根据权利要求1所述的透明电极被覆基板的水分去除方法，其特征在于：上述透明电极被激光划线。

9.根据权利要求1所述的透明电极被覆基板的水分去除方法，其特征在于：上述基板在红外线炉内通过输送机移动。

10.根据权利要求9所述的透明电极被覆基板的水分去除方法，其特征在于：上述输送机由耐热材质做成。

11.一种透明电极被覆基板的水分去除方法，包括：

将透明电极被覆基板放入红外线炉的阶段；

在上述红外线炉内对上述基板进行加热的阶段，其中上述基板在上述红外线炉内移动的过程中，上述红外线炉在大气压下向上述基板进行加热；

将上述基板从上述红外线炉搬出的阶段；

将上述基板装载在室内的阶段；

向上述室内流入反应气体的阶段；

固定上述室内压力的阶段；和

在上述室内利用上述反应气体对上述基板进行热处理的阶段，

其中，上述放入红外线炉的阶段、上述红外线炉内进行加热的阶段和上述基板从上述红外线炉搬出的阶段所需的时间为60sec至180sec。

12.根据权利要求11所述的透明电极被覆基板的水分去除方法，其特征在于：上述红外线炉内的温度为150℃至200℃。

13.根据权利要求11所述的透明电极被覆基板的水分去除方法，其特征在于：进一步包括利用上述反应气体对上述基板进行热处理之后降低室内压力的阶段。

14.根据权利要求11所述的透明电极被覆基板的水分去除方法，其特征在于：装载上述基板的上述室内的压力为10^-7Torr至10^-3Torr。

15.根据权利要求13所述的透明电极被覆基板的水分去除方法，其特征在于：将上述室内的压力降低到10^-7Torr至10^-3Torr。

16.根据权利要求11所述的透明电极被覆基板的水分去除方法，其特征在于：上述反应气体流入上述室内的流量为10sccm至500sccm。

17.根据权利要求11所述的透明电极被覆基板的水分去除方法，其特征在于：上述室内的压力固定于0.3Torr至5Torr。

18.根据权利要求11所述的透明电极被覆基板的水分去除方法，其特征在于：在利用上述反应气体进行热处理的阶段中，室内的温度为150℃至200℃。