[发明专利]液晶驱动装置有效
申请号: | 200910118580.3 | 申请日: | 2009-03-04 |
公开(公告)号: | CN101533624A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | 村井周治 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36;G02F1/133;G09G3/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 梁爱荣 |
地址: | 日本国大阪府守*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 驱动 装置 | ||
1.一种液晶驱动装置,其特征在于,具有扫描线驱动电路,对于设在对应于液晶面板的多条扫描线及多条数据线的交叉的像素的切换元件,经由前述扫描线供给用以进行切换控制前述切换元件的信号而与经由前述数据线供给因应于前述像素的灰阶的信号的数据线驱动电路一起使用;
前述扫描线驱动电路于前述每条扫描线具有:
第1串联电路,串联连接的第1PMOSFET与第1NMOSFET的两端分别连接至第1及第2电位,且于前述第1PMOSFET的栅极输入具有前述第1电位以下且比前述第2电位高的2个位准的2值信号;
第2串联电路,串联连接的第2PMOSFET及第2NMOSFET的两端分别连接于比前述第1电位更高的第3电位及前述第2电位,前述第2NMOSFET的栅极连接于前述第1PMOSFET及前述第1NMOSFET的连接点;以及
输出缓冲电路,将前述第2PMOSFET及前述第2NMOSFET的连接点的电压缓冲且输出;
于前述第1NMOSFET的栅极施加有因应前述2值信号的位准而使前述第2NMOSFET导通或切断的第1偏压电压,
于前述第2PMOSFET的栅极施加有使其成为比前述第2NMOSFET的导通电阻更高的导通电阻的第2偏压电压。
2.一种液晶驱动装置,其特征在于,具有扫描线驱动电路,对于设在对应于液晶面板的多条扫描线及多条数据线的交叉的像素的切换元件,经由前述扫描线供给用以进行切换控制前述切换元件的信号而与经由前述数据线供给因应于前述像素的灰阶的信号的数据线驱动电路一起使用;
前述扫描线驱动电路于前述每条扫描线具有:
第1串联电路,串联连接的第1NMOSFET与第1PMOSFET的两端分别连接至第1及第2电位,且于前述第1PMOSFET的栅极输入具有前述第1电位以上且比前述第2电位低的2个位准的2值信号;
第2串联电路,串联连接的第2NMOSFET及第2PMOSFET的两端分别连接于比前述第1电位更低的第3电位及前述第2电位,前述第2PMOSFET的栅极连接于前述第1NMOSFET及前述第1PMOSFET的连接点;以及
输出缓冲电路,将前述第2NMOSFET及前述第2PMOSFET的连接点的电压缓冲且输出;
于前述第1PMOSFET的栅极施加有因应前述2值信号的位准而使前述第2PMOSFET导通或切断的第1偏压电压,
于前述第2NMOSFET的栅极施加有使其成为比前述第2PMOSFET的导通电阻更高的导通电阻的第2偏压电压。
3.如权利要求1或2的液晶驱动装置,其特征在于,前述输出缓冲电路至少含有以前述第2电位及前述第3电位间的电压为电源,且输入有前述第2PMOSFET及前述第2NMOSFET的连接点的电压的CMOS反向器电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社,未经三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910118580.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:非易失性存储装置及其操作方法
- 下一篇:移动终端及其显示方法