[发明专利]溅射阴极、溅射设备、控制设备、成膜方法及制造方法

权利要求书

1.一种溅射阴极，其包括布置在与用于支撑靶材的表面相 对的位置处的多个磁体单元，

各所述磁体单元具有：

所述磁体单元的磁体；

距离调整机构，用于调整从所述磁体到所述表面的距 离；

往复运动机构，用于使所述磁体平行于所述表面往复 运动；以及

导轨，用于使所述往复运动机构沿所述往复运动的方 向运动；

其中，所述导轨与所述往复运动机构中的滑动单元接合， 以使所述往复运动机构沿所述往复运动的方向运动，并且所述 导轨与所述距离调整机构中的轴连接，

所述距离调整机构和所述导轨被设置成在所述往复运动机 构沿所述往复运动的方向运动时，所述距离调整机构和所述导 轨不沿所述往复运动的方向运动，以及

所述磁体单元沿不同于所述往复运动的方向的预定方向布 置。

2.根据权利要求1所述的溅射阴极，其特征在于，沿所述 预定方向布置的所述磁体单元构成纵向为所述预定方向的磁体 单元组，并且多个所述磁体单元组沿所述往复运动的方向布置。

3.一种溅射设备，其包括根据权利要求1所述的溅射阴极。

4.根据权利要求3所述的溅射设备，其特征在于，还包括：

溅射室，用于布置所述靶材；以及

磁体室，用于布置所述磁体单元，

其中，由与用于对所述溅射室抽真空的排气系统不同的排 气系统对所述磁体室抽真空。

5.一种控制设备，用于控制根据权利要求3所述的溅射设 备，所述控制设备包括控制部，当在使用同一靶材的预定成膜 中，在成膜过程中改变溅射条件时，所述控制部控制所述距离 调整机构，以针对每次溅射条件的改变且在各所述磁体单元中 调整所述距离，从而抑制由溅射条件的改变所引起的膜厚度分 布的变化的增加。

6.根据权利要求5所述的控制设备，其特征在于，还包括：

存储部件，用于针对各所述磁体单元，存储与对于各溅射 条件最佳的所述磁体的位置有关的位置信息；

获取部件，用于在成膜过程中改变溅射条件的情况下，通 过参照所述存储部件，获取各所述磁体单元的与改变后的溅射 条件相对应的所述位置信息；以及

用于基于所获取的所述位置信息来控制所述距离调整机构 从而控制各所述磁体单元的所述距离的部件。