[发明专利]利用聚焦电子束制作高精度纳米孔及纳米孔阵列的方法无效
| 申请号： | 200910117346.9 | 申请日： | 2009-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101607692A | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | 段辉高;谢二庆;赵建果;刘利新;陈长城;刘延霞 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 | 代理人： | 张英荷 |
| 地址： | 730000甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 聚焦 电子束 制作 高精度 纳米 阵列 方法 | ||
【权利要求书】：
1、利用聚焦电子束制作高精度纳米孔及纳米孔阵列的方法，其特征在于：于真空度为1×10-7～1×10-10Torr下，工作电压为100kV～200kV，采用强度是为1×107～1×108e/nm2s的聚焦电子束辐照聚甲基丙烯酸甲酯纳米纤维1～60s，得到孔径在0.5nm～10nm之间的纳米孔；偏转电子束辐照聚甲基丙烯酸甲酯纳米纤维，得到纳米孔阵列。
2、如权利要求1所述利用聚焦电子束制作高精度纳米孔及纳米孔阵列的方法，其特征在于：所述聚甲基丙烯酸甲酯纳米纤维由电纺丝工艺制备而成，直径在2～50nm之间。
3、如权利要求1所述利用聚焦电子束制作高精度纳米孔及纳米孔阵列的方法，其特征在于：所述聚焦电子束的束斑直径在0.5～2nm之间。
4、如权利要求1所述利用聚焦电子束制作高精度纳米孔及纳米孔阵列的方法，其特征在于：采用强度为1×105～1×106e/nm2s、束斑直径为100nm～1μm的散焦电子束调整纳米孔的大小。
5、如权利要求1所述利用聚焦电子束制作高精度纳米孔及纳米孔阵列的方法，其特征在于：利用静电偏转电子束制作纳米孔阵列，纳米孔阵列的周期在1nm～20nm之间。
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