[发明专利]尖锐程度可控的氧化锌纳米锥阵列及其制备方法

权利要求书

1.一种尖锐程度可控的氧化锌纳米锥阵列，由衬底及其上置有的氧化锌纳米阵列组成，其特征在于：

所述衬底为导电衬底；

所述氧化锌纳米阵列为氧化锌纳米锥阵列，所述氧化锌纳米锥阵列中的氧化锌纳米锥的锥长为0.5～1.5μm、最大锥径为100～300nm、锥度为18～40度。

2.根据权利要求1所述的尖锐程度可控的氧化锌纳米锥阵列，其特征是导电衬底为金属衬底，或半导体衬底，或导电玻璃。

3.根据权利要求1所述的尖锐程度可控的氧化锌纳米锥阵列，其特征是氧化锌纳米锥的锥尖直径≤10nm。

4.一种权利要求1所述尖锐程度可控的氧化锌纳米锥阵列的制备方法，采用电化学沉积法，其特征在于完成步骤如下：

步骤1，将氨水加入浓度为0.01～2M的硝酸锌溶液中，搅拌至溶液由浑浊变为澄清，得到硝酸锌氨络合溶液；

步骤2，将导电衬底作为阴极，置于温度为70～100℃的硝酸锌氨络合溶液中，于电流密度为0.1～5mA/cm²下电沉积的时间为1h以上，制得尖锐程度可控的氧化锌纳米锥阵列。

5.根据权利要求4所述的尖锐程度可控的氧化锌纳米锥阵列的制备方法，其特征是导电衬底为金属衬底，或半导体衬底，或导电玻璃。

6.根据权利要求5所述的尖锐程度可控的氧化锌纳米锥阵列的制备方法，其特征是金属衬底为金属金片，或金属银片，或金属铜片。

7.根据权利要求5所述的尖锐程度可控的氧化锌纳米锥阵列的制备方法，其特征是半导体衬底为硅片，或锗片，或砷化镓片。

8.根据权利要求4所述的尖锐程度可控的氧化锌纳米锥阵列的制备方法，其特征是电沉积的时间为1～10h。

9.根据权利要求4所述的尖锐程度可控的氧化锌纳米锥阵列的制备方法，其特征是在电沉积的过程中，向硝酸锌氨络合溶液中注入去离子水至其的浓度≥0。

10.根据权利要求9所述的尖锐程度可控的氧化锌纳米锥阵列的制备方法，其特征是向硝酸锌氨络合溶液中注入去离子水时，硝酸锌氨络合溶液浓度减小的速率为98～99％/min。