[发明专利]串并联结构的薄膜太阳电池模块组及其加工方法无效
| 申请号: | 200910114934.7 | 申请日: | 2009-02-13 |
| 公开(公告)号: | CN101483204A | 公开(公告)日: | 2009-07-15 |
| 发明(设计)人: | 刘穆清;唐健;范滨 | 申请(专利权)人: | 苏州富能技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/18 |
| 代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 范 晴 |
| 地址: | 215021江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 串并联 结构 薄膜 太阳电池 模块 及其 加工 方法 | ||
1.一种串并联结构的薄膜太阳电池模块组,包括衬底(2),其特征在 于:所述衬底(2)上设置有若干电池模块(1),所述每个电池模块(1)包 括依次设于衬底(2)上的底层导电膜(3)、发电层(5)、顶层导电膜(4) 以及顶层导电膜(4)上的印刷电极(9),所述电池模块(1)由若干切断顶 层导电膜(4)、发电层(5)以及底层导电膜(3)的切线槽(6)分隔成若 干模块单元(7),相邻两个电池模块(1)之间通过切线槽(6)分隔开,所 述底层导电膜(3)于模块单元(7)端部设有缺孔(14),所述缺孔(14) 靠近上一模块单元(7)的侧边(141)与切线槽(6)重合,所述顶层导电 膜(4)和发电层(5)分别设有位于缺孔(14)上的窄孔(15),所述窄孔 (15)一侧向上一模块单元(7)延伸有前延伸孔(16),所述窄孔(15)于 模块单元(7)长度方向的内侧边(151)位于缺孔(14)内;所述印刷电极 (9)靠近缺孔(14)的端部由窄孔(15)内延伸至前延伸孔(16)内的上 一模块单元(7)的底层导电膜(3)上。
2.根据权利要求1所述的串并联结构的薄膜太阳电池模块组,其特征 在于:所述缺孔(14)为挖去部分底层导电膜(3)形成的露出衬底(2)的 开口。
3.根据权利要求1所述的串并联结构的薄膜太阳电池模块组,其特征 在于:所述缺孔(14)为底层导电膜(3)上由封闭的切线槽(6)组成的孔, 所述缺孔(14)的切线槽(6)内填充有发电层(5)。
4.根据权利要求1所述的串并联结构的薄膜太阳电池模块组,其特征 在于:并排的所述相邻的两个电池模块(1)的模块单元(7)排列方向相同, 所述并排相邻的两个电池模块(1)的第一个模块单元(7a)的顶层导电膜 (4)之间电连接,最后一个模块单元(7b)的底层导电膜(3)之间电连接。
5.根据权利要求4所述的串并联结构的薄膜太阳电池模块组,其特征 在于:所述并排相邻的两个电池模块(1)的第一个模块单元(7a)的顶层 导电膜(4)上的印刷电极(9)之间连通。
6.根据权利要求4所述的串并联结构的薄膜太阳电池模块组,其特征 在于:并排的所述相邻的两个电池模块(1)上相邻的缺孔(14)相互连通, 所述窄孔(15)与前延伸孔(16)相对的另一侧向本模块单元(7)的缺孔 (14)外延伸有后延伸孔(17),所述并排相邻的两个电池模块(1)最后一 个模块单元(7b)后延伸孔(17)内的底层导电膜(3)之间连接有印刷连 接电极(10)。
7.根据权利要求1所述的串并联结构的薄膜太阳电池模块组,其特征 在于:并排的所述相邻的两个电池模块(1)的模块单元(7)排列方向相反, 上一电池模块(1)的最后一个模块单元(7b)与下一电池模块(1)的第一 个模块单元(7a)相邻设置,所述上一电池模块(1)的最后一个模块单元 (7b)的底层导电膜(3)与下一电池模块(1)的第一个模块单元(7a)的 顶层导电膜(4)通过印刷电极(9)电连接。
8.一种如权利要求1所述的串并联结构的薄膜太阳电池模块组的加工 方法,其特征在于包括以下步骤:
1)、在衬底(2)上镀底层导电膜(3);
2)、在底层导电膜(3)上加工出缺孔(14),并在底层导电膜(3)上 划出分隔模块单元(7)和电池模块(1)的切线槽;
3)、再在底层导电膜(3)上依次镀发电层(5)和顶层导电膜(4);
4)、在顶层导电膜(4)和发电层(5)上挖出窄孔(15),并在顶层导 电膜(4)和发电层(5)上划出分隔模块单元(7)和电池模块(1)的切线 槽;
5)、最后印制印刷电极(9)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州富能技术有限公司,未经苏州富能技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910114934.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





