[发明专利]豆浆机电机软启动和软关断方法及实现该方法的控制电路无效

专利信息
申请号: 200910114893.1 申请日: 2009-01-22
公开(公告)号: CN101478276A 公开(公告)日: 2009-07-08
发明(设计)人: 倪祖根 申请(专利权)人: 金莱克电气股份有限公司
主分类号: H02P1/04 分类号: H02P1/04;A23L1/20
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 代理人: 范 晴
地址: 215009*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 豆浆机 电机 启动 软关断 方法 实现 控制电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种豆浆机电机软启动和软关断方法及实现该方法的控制电路。

背景技术

目前市场上的豆浆机电机基本上都是在启动时瞬间达到半功率或最大功率,而停止电机时都是立即停止,这就好比从枪膛射出的子弹由静止到飞速打出只在瞬间,会有很大的后坐力,电机也是如此,瞬间启动和停止会影响电机的功能性和寿命。而造成豆浆机电机上述情况的原因是由于目前的豆浆机电机控制电路均采用继电器驱动控制电机工作;接通电源后,电机直接启动,启动电流大,容易对电机和电网造成较大的冲击,降低电机使用寿命。而且在电机启动和关断时,由于电压变化大,使得电机的转速不平稳,对负载机械的冲击转矩,造成豆浆机抖动厉害,大大降低豆浆机的运行稳定性。

发明内容

本发明目的是:针对现有技术的不足,而提供一种豆浆机电机软启动和软关断方法,能够给予电机一定的缓冲保护,保证电机的工作性能稳定,以此延长其使用寿命。

本发明的技术方案是:一种豆浆机电机软启动和软关断方法,将可控硅作为调压器接入电源和电机之间,并在周期为T的交流电中,采用检测交流电过零信号作为同步信号,通过移相触发方式改变可控硅的触发导通角大小,使电机上获得连续变化的电压。

如本发明的上述技术方案所述,豆浆机电机软启动时只需通过移相触发方式逐渐增大可控硅的导通角,使得电机能够从低电压开始启动,直至达到额定电压;此过程能够减小电压突增对于电机和电网造成的冲击;并且豆浆机电机启动时的转速由慢到快逐渐平稳达到最高转速,大大降低了电机对于负载机械的冲击转矩,提高了豆浆机的运行稳定性。

同理,当豆浆机电机软关断时则只需通过移相触发方式逐渐减小可控硅的导通角,使得电机电压逐步减小到零;此过程能够减小电压突降对于电机和电网造成的冲击;并且豆浆机电机的转速快到慢逐渐降低到零,大大降低了对于负载机械的冲击转矩,提高了豆浆机的运行稳定性。

本发明的另一目的是提供一种实现上述豆浆机电机软启动和软关断方法的控制电路,这种控制电路的技术方案如下:将可控硅的两个主电极同电机一同串联在电源供电回路中,而可控硅的控制极经一触发电路单元同单片机连接;该单片机通过一直流稳压单元连接电源,并且单片机与该直流稳压单元之间连接有电源过零信号检测单元。

本发明中所述触发电路单元优选输出端接入可控硅为负载,而输入端连接单片机的光电耦合芯片。

本发明中所述单片机上还连接有防击穿电路保护单元,该防击穿保护单元包括继电器、二极管和三极管,所述三极管的集电极接入继电器为负载,而基极连接单片机;所述继电器的常闭触点与二极管并联后与电机和可控硅的两个主电极一同串联在电源供电回路中。

本发明的优点是:

本发明所述的这种豆浆机电机软启动和软关断方法,通过移相触发方式改变可控硅的导通角,使电机能够获得连续变化的电压,从而真正实现了豆浆机电机的软启动和软关断:

软启动时电机从低电压开始启动,直至达到额定电压;此过程能够减小电压突增对于电机和电网造成的冲击;并且豆浆机电机启动时的转速由慢到快逐渐平稳达到最高转速,大大降低了电机对于负载机械的冲击转矩,提高了豆浆机的运行稳定性,并延长电机使用寿命。

软关断时电机电压逐步减小到零;此过程能够减小电压突降对于电机和电网造成的冲击;并且豆浆机电机的转速快到慢逐渐降低到零,大大降低了对于负载机械的冲击转矩,提高了豆浆机的运行稳定性,并同样利于延长电机使用寿命。

附图说明

下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述:

图1为本发明控制电路的结构示意图;

图2为图1控制电路中可控硅在移相触发方式下工作波形变化示意图。

具体实施方式

实施例:本发明提供了一种豆浆机电机软启动和软关断方法,这种方法将可控硅TR2作为调压器接入电源和电机M1之间,并在周期为T的交流电中,采用检测交流电过零信号作为同步信号,通过移相触发方式改变可控硅TR2的导通角,使电机M1上获得连续变化的电压。

同时本发明还提供了一种实现上述方法的控制电路,本实施例通过结合图1所示,对这种控制电路的构成及其实现电机软启动和软关断的过程进行详细说明如下:这种豆浆机电机控制电路采用可控硅移相式触发电路,具体由单片机U4、直流稳压单元1、电源过零信号检测单元2、防击穿保护单元3、电机M1、可控硅TR2、光电耦合芯片U3,电阻R4、R6、R7、R10和电容C4、C12所组成。

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