[发明专利]一种激光治疗仪有效

专利信息
申请号: 200910114437.7 申请日: 2009-09-25
公开(公告)号: CN101670154A 公开(公告)日: 2010-03-17
发明(设计)人: 黄益富;庞峰 申请(专利权)人: 桂林康兴医疗器械有限公司
主分类号: A61N5/067 分类号: A61N5/067
代理公司: 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 代理人: 苏家达
地址: 541004广西壮族自治区*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 一种 激光治疗
【权利要求书】:

1.一种激光治疗仪,其电路部分主要由电源、控制器(MCU)、以及连接在控制器(MCU)上的人机界面及激光输出电路构成,激光输出电路上带有激光头,其特征还在于:

所述控制器(MCU)为实现时间控制、曲线数据库、输出曲线构建、占空比计算和脉宽调制功能的控制器(MCU);其中时间控制功能用于控制输出曲线的构建和整机定时;曲线数据库内部存储有各种不同的时间-基准功率曲线表,每个时间-基准功率曲线表包括一个照射周期内的各个时间所对应的输出功率比例系数k;输出曲线构建功能用于对人机界面键入的本次输出的激光最大功率Pin和选定的输出曲线,通过调取对应的时间-基准功率曲线表,计算出一个照射周期内的各个时间所对应的待调制输出功率值P1,其中待调制输出功率值P1=Pin*k,构建出本次照射的待调制输出功率曲线;占空比计算功能用于根据输出曲线构建功能所得的待调制输出功率值P1和激光头的最大额定功率Pmax计算出脉宽调制的占空比数值B信号,其中B=(P1/Pmax)*100%;脉宽调制功能用于根据输入的占空比数值B信号对待调制输出功率曲线进行脉宽调制,生成输出功率的脉宽调制信号输出至激光输出电路;

所述激光头由光检测器(PD)和半导体激光器(LD)封装而成;

所述激光输出电路是由导通三极管(Q3)、比较运放(A1)、参考电平电路、NPN型三极管(Q1)、取样电阻(W)、激光头(PD1、LD1)和隔离运放(A3)组成;导通三极管(Q3)的基极与控制器(MCU)的输出端连接,发射极与电源正极(VCC)相连,集电极与参考电平电路的高电平端连接;参考电平电路的输出端连接在比较运放(A1)的同向输入端上,比较运放(A1)的输出端与NPN型三极管(Q1)基极相连;NPN型三极管(Q1)的集电极与半导体激光器(LD1)的阴极连接,NPN型三极管(Q1)的发射极与电源地相连;半导体激光器(LD1)的阳极与光检测器(PD1)的阴极共同连接在导通三极管(Q3)的集电极上,光检测器(PD1)的阳极经取样电阻(W)连接至NPN型三极管(Q1)的发射端并与参考电平电路的低电平端相连;上述光检测器(PD1)的阳极还同时与比较运放(A1)的反向输入端和隔离运放(A3)的同向输入端相连,隔离运放(A3)的反向输入端与隔离运放(A3)的输出端连接后,共同连接至控制器(MCU)的输入端上;或所述激光输出电路是由导通三极管(Q3’)、比较运放(A1’)、参考电平电路、PNP型三极管(Q1’)、取样电阻(W’)、激光头(PD1’、LD1’)和隔离运放(A3’)组成;导通三极管(Q3’)的基极与控制器(MCU)的输出端连接,发射极与电源正极(VCC)相连,集电极与参考电平电路的高电平端连接;参考电平电路的输出端连接在比较运放(A1’)的反向输入端上,比较运放(A1’)的输出端与PNP型三极管(Q1’)基极相连;PNP型三极管 (Q1’)的集电极与半导体激光器(LD1’)的阳极连接,PNP型三极管(Q1’)的发射极与导通三极管(Q3’)的集电极端相连;半导体激光器(LD1’)的阴极与光检测器(PD1’)的阳极共同连接在导通三极管(Q3’)的集电极上,光检测器(PD1’)的阴极经取样电阻(W’)连接至PNP型三极管(Q1’)的发射端;上述光检测器(PD1’)的阳极还同时与比较运放(A1’)的同相输入端和隔离运放(A3’)的同向输入端相连,隔离运放(A3’)的反向输入端与隔离运放(A3’)的输出端连接后,共同连接至控制器(MCU)的输入端上。

2.根据权利要求1所述的一种激光治疗仪,其特征是:所述取样电阻(W、W’)为电位器。

3.根据权利要求1所述的一种激光治疗仪,其特征是:所述控制器上还连接有一报警装置,此时控制器(MCU)为进一步包括有状态判别功能的控制器(MCU),该状态判别功能用于当导通三极管(Q3、Q3’)处于导通状态时,判断隔离运放(A3、A3’)返回的反馈信号与激光头的额定最大功率Pmax误差是否大于±20%,一旦反馈信号超出此范围则发出控制信号关断激光输出电路并发出报警;当导通三极管(Q3、Q3’)处于截止状态时,判断隔离运放(A3、A3’)反馈回的信号是否为零,一旦反馈信号不为零则发出控制信号关断激光输出电路并发出报警。 

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