[发明专利]冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

1)将待处理的冶金法多晶硅片通磷源进行磷吸杂处理并去除吸杂层，所述冶金法多晶硅片的电阻率为0.1～0.15Ω·cm，冶金法多晶硅片的厚度为180～190μm，冶金法多晶硅片的面积为2cm×2cm，导电类型为P型，所述磷源为POL₃，大氮流量为1～3L/min，小氮流量为0.5～0.9L/min，氧气流量为0.1～0.3L/min，所述去除吸杂层的腐蚀液是体积比为HNO₃∶HF∶CH₃COOH＝5∶1∶1的酸腐蚀液；

2)将进行磷吸杂处理并去除吸杂层后的冶金法多晶硅片通入带有水蒸汽的氧气进行湿氧氧化处理并去除氧化层，所述湿氧氧化处理的具体做法是将氧气通入90～100℃的去离子水中，再通入氧化炉内对冶金法多晶硅片进行湿氧氧化处理，氧气流量为0.5～2L/min，用体积比为HF∶去离子水＝1∶1～20的HF溶液去除氧化层，最后用去离子水冲洗至少1遍，烘干后备用；

3)将进行湿氧氧化处理并去除氧化层后的冶金法多晶硅片按常规工艺制备电池，再将制备好的电池片退火，所述电池片退火用快速热退火炉在400～750℃氮气气氛中退火1～20min。

2.如权利要求1所述的冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述通磷源的时间为1～4h，所述磷吸杂处理的温度为800～1000℃。

3.如权利要求1所述的冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述通入带有水蒸汽的氧气是在700～1000℃下通入带有水蒸汽的氧气，通入带有水蒸汽的氧气的时间为1～4h。

4.如权利要求1所述的冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于所述快速热退火炉的光源采用卤钨灯。

5.如权利要求1所述的冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于在步骤3)中，所述氮气的流量为1～3L/min。