[发明专利]基于二维光子晶体带隙及自准直效应的光分插滤波器无效
| 申请号: | 200910111931.8 | 申请日: | 2009-06-09 |
| 公开(公告)号: | CN101614844A | 公开(公告)日: | 2009-12-30 |
| 发明(设计)人: | 强则煊;白继博;王君琴;蒋俊贞;倪波;邱怡申 | 申请(专利权)人: | 福建师范大学 |
| 主分类号: | G02B6/34 | 分类号: | G02B6/34 |
| 代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 | 代理人: | 蔡学俊;吴钦缘 |
| 地址: | 350108福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 二维 光子 晶体 效应 光分插 滤波器 | ||
1、一种基于二维光子晶体带隙及自准直效应的光分插滤波器,其特征在于光分插滤波器包括了上端直波导、下端直波导以及位于上下端直波导之间的自准直环区,耦合上下端直波导中电磁场能量的由光子晶体自准直环进一步形成谐振腔;光子晶体自准直工作频率或波长范围,应被上端波导工作区所覆盖。
2、根据权利要求1所述的基于二维光子晶体带隙及自准直效应的光分插滤波器,其特征在于上端直波导和下端直波导可以由具有线缺陷的正方晶格晶体阵列组成。
3、根据权利要求1所述的基于二维光子晶体带隙及自准直效应的光分插滤波器,其特征在于所述的上端直波导和下端直波导还可以由具有线缺陷的三角晶格排列的介质柱型二维光子阵列组成。
4、根据权利要求1所述的基于二维光子晶体带隙及自准直效应的光分插滤波器,其特征在于所述的上端直波导和下端直波导由具有线缺陷的二维平板排列的光子晶体阵列组成。
5、根据权利要求1所述的基于二维光子晶体带隙及自准直效应的光分插滤波器,其特征在于所述的光子晶体自准直环区,是通过调整环区光子晶体半径大小,使得沿着特定方向的光在特定频率范围内可以自准直传播,并在外面光子晶体带隙的限制下,从而有效形成光子晶体自准直微环。
6、根据权利要求5所述的基于二维光子晶体带隙及自准直效应的光分插滤波器,其特征在于所述的自准直环区光子晶体半径,其大小为0.115a。
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