[发明专利]掺锶硼酸钡紫外双折射晶体及其生长技术无效
| 申请号： | 200910111242.7 | 申请日： | 2009-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101831704A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 王国富;吴少凡;谢建凌;张莉珍;王国建 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B15/00;G02B1/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硼酸 紫外 双折射 晶体 及其 生长 技术 | ||
【权利要求书】：
1.一种掺锶硼酸钡紫外双折射晶体，其特征在于：该晶体的分子式为Ba1-xSrxB2O4(x＝0.001-0.23)，属于三方晶系，空间群R3c，Ba0.9Sr0.1B2O4的晶胞参数为透光范围在190-3500nm，紫外区的透过率达到90％，533nm波长的双折射率为：ne＝1.5379，n0＝1.6619，可作为紫外双折射晶体。
2.如权利要求1所述的掺锶硼酸钡紫外双折射晶体，其特征在于：在该晶体中，Sr2+取代晶体中Ba2+离子的晶格位置，形成硼酸钡锶固熔体，其掺杂范围在0.1at.-23at.％之间，随着锶离子浓度的增加，晶胞参数a不变，c减小至晶体的透过范围、透过率及双折射率均无明显变化。
3.一种权利要求1的掺锶硼酸钡紫外双折射晶体的制备方法，其特征在于：该晶体采用提拉法生长，以BaCO3、SrCO3和H3BO3为原料，生长条件为：生长温度1050℃，转速10-15转/分钟，拉速0.5-1毫米/小时。
4.一种权利要求1所述的掺锶硼酸钡紫外双折射晶体的用途，其特征在于：该晶体用于Glan-Taylor，Glan-laser偏振器。
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