[发明专利]场发射阴极结构及使用该场发射阴极结构的显示器

权利要求书

1.一种场发射阴极结构，其包括：

一绝缘基板，该绝缘基板上形成有多个开孔，且该绝缘基板具有第一表面以及与该第一表面相对的第二表面；

多个阴极电极，该多个阴极电极平行设置于所述绝缘基板的第一表面；以及

多个电子发射单元，该多个电子发射单元分别与一开孔对应设置，且与所述阴极电极电连接；

其特征在于，所述电子发射单元包括至少一根碳纳米管线状结构，该碳纳米管线状结构的一部分固定于所述绝缘基板与所述阴极电极之间，一部分设置于开孔内。

2.如权利要求1所述的场发射阴极结构，其特征在于，所述碳纳米管线状结构包括一第一部分以及与该第一部分一端弯折相连的一第二部分，所述第一部分固定于所述绝缘基板与所述阴极电极之间，所述第二部分设置于开孔内，且由阴极电极向开孔的开口中心位置倾斜延伸。

3.如权利要求1所述的场发射阴极结构，其特征在于，所述碳纳米管线状结构的第二部分具有一尖端，且该尖端包括多个场发射尖端。

4.如权利要求3所述的场发射阴极结构，其特征在于，所述场发射尖端包括多个基本平行的碳纳米管，该多个碳纳米管之间通过范德华力紧密结合。

5.如权利要求3所述的场发射阴极结构，其特征在于，所述的场发射尖端为类圆锥形，且该场发射尖端的顶端突出有一单根碳纳米管。

6.如权利要求1所述的场发射阴极结构，其特征在于，所述碳纳米管线状结构进一步包括一支撑线材。

7.如权利要求1所述的场发射阴极结构，其特征在于，所述支撑线材为金属微丝。

8.如权利要求1所述的场发射阴极结构，其特征在于，进一步包括多个栅极电极，该多个栅极电极平行设置于所述绝缘基板的第二表面，且该多个栅极电极与所述多个阴极电极异面交叉设置。

9.如权利要求1所述的场发射阴极结构，其特征在于，所述电子发射单元包括两个碳纳米管线状结构，每个碳纳米管线状结构的第一部分固定于绝缘基板与阴极电极之间，且每个碳纳米管线状结构的第二部分由阴极电极向开孔的开口中心位置倾斜延伸。

10.如权利要求9所述的场发射阴极结构，其特征在于，所述每个碳纳米管线状结构的第二部具有一尖端，且两个碳纳米管线状结构的第二部分的尖端间隔设置。

11.如权利要求1所述的场发射阴极结构，其特征在于，所述部分电子发射单元的碳纳米管线状结构弯折形成一第一部分以及该第一部分相对两端弯折相连的二第二部分，所述第一部分固定于所述绝缘基板与所述阴极电极之间，所述二第二部分分别设置于二相邻的开孔内，且均由阴极电极向开孔的开口中心位置倾斜延伸。

12.一种显示器，其包括：一阴极基板，一阳极基板，一场发射阴极结构以及一阳极结构，

其中，所述场发射阴极结构为如权利要求1至11中任一项所述的场发射阴极结构。