[发明专利]NAND FLASH的数据处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体存储介质技术领域，更具体地说，涉及一种NAND  FLASH的数据处理方法。

背景技术

NAND FLASH(非易失性存储器，简称闪存)中擦除的最小单位为块 (Block)，写入的最小单位为页(Page)，所有的用户数据写入操作需基于一 个空块进行，即所有的写入操作需在FLASH中被擦除后没有被编程的块中进 行。若要根据逻辑地址A向一块中写入数据将该块中的数据更新，其流程大致 如下：

首先，找到一个空块，将旧块中A地址以上页中的数据拷贝到空块；例如， 若要写入数据的块中A地址对应的页为第20页，则先将第0～19页的数据拷贝到 新块中；

然后，将要写入的数据写入到空块中对应的页；

最后，将旧块的其他数据拷贝到空块的相应位置。

目前，要基于NAND FLASH向其文件系统中写入一段数据，首先要频繁 的修改它的系统文件，例如，FAT文件系统要拷贝文件，必须要更新FAT表、 FDT表，最后才更新用户数据，而用户数据长度一般较长，需若干页才能容置。 所以在数据写入过程中，文件系统经常打断用户数据的更新，而插入对FAT表 与FDT表的更新操作。此时，需结束当前块的操作，而对FAT表与FDT表进行 更新操作，FAT表与FDT表的更新操作过程与上述数据更新操作过程一致，即 需重复上述用户数据更新的步骤。当FAT与FDT更新完后，用户数据继续往下 写时，又必须重复上述数据写入过程，即将数据中断时已写入到块中的数据 和逻辑地址以上页的数据拷贝到一新块，然后将未写完的写入到逻辑地址对 应的页中，然后拷贝旧块中的其他数据。整个过程既耗时且FLASH的磨损又 大，特别文件个数较多时，FAT、FDT修改比率就更高，导致FLASH拷贝文件 速度过慢。

发明内容

本发明的主要目的在于针对现有技术缺陷，提供一种NAND FLASH的数 据处理方法，旨在减少FLASH的磨损，提高FLASH的文件拷贝速度。

本发明NAND FLASH的数据处理方法包括以下步骤：

根据逻辑地址与物理地址映射表申请空块，进行用户数据更新操作；

当用户数据更新操作被FAT表或FDT表更新中断时，保存空块的物理地址 和操作环境；

更新FAT表或FDT表，记录FAT表或FDT表的映射关系；

调取用户数据更新操作中断时空块的物理地址和操作环境，继续用户数 据更新操作；所述操作环境包括逻辑地址对应的块、循环变量、状态机状态。

优选地，所述当用户数据更新操作被FAT表或FDT表中断时，保存空块的 物理地址和操作环境的步骤中包括：

设定数据长度阈值；

比较FAT表或FDT表的长度与数据长度阈值；

当FAT表或FDT表的长度小于或等于数据长度阈值时，中断用户数据更新 操作。

优选地，所述更新FAT表或FDT表，记录FAT表或FDT表的映射关系的步 骤中还包括：

在FLASH冗余中记录FAT表或FDT表的逻辑地址，并在内存中记录FAT 表或FDT表的映射关系。

优选地，上述数据处理方法还包括以下步骤：

当编程时插入的数据长度大于所述阈值时结束数据更新操作；

申请用户数据的逻辑地址与物理地址映射表；

保存当前操作的结束物理地址与操作环境。

优选地，所述调取用户数据更新操作中断时空块的物理地址和操作环境， 继续数据更新操作的步骤中还包括：

判断当前操作的物理地址与结束物理地址是否一致；若否，则根据数据 长度阈值中断用户数据更新操作；若是，则根据结束物理地址继续更新数据。

优选地，所述根据数据长度阈值中断数据更新操作的步骤中还包括以下：

比较用户数据长度与阈值；

当用户数据长度小于阈值时，中断用户数据更新操作。

由上可知，本发明在数据操作被中断时，记录当时空块的物理地址和操 作环境，当文件系统的更新完成后，再通过调取空块的物理地址和操作环境， 实现对数据的续写操作，减少了FLASH的磨损，提高了FLASH的数据拷贝速 度。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式中NAND FLASH的数据处理方法流程图；