[发明专利]电围栏激励器电路及控制储能电容充电的方法有效
申请号: | 200910108491.0 | 申请日: | 2009-07-07 |
公开(公告)号: | CN101614765A | 公开(公告)日: | 2009-12-30 |
发明(设计)人: | 李健雄 | 申请(专利权)人: | 李健雄 |
主分类号: | G01R19/04 | 分类号: | G01R19/04;H03K3/02;G05B19/04;H02J15/00 |
代理公司: | 深圳市惠邦知识产权代理事务所 | 代理人: | 赵彦雄 |
地址: | 518050广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 围栏 激励 电路 控制 电容 充电 方法 | ||
1.一种电围栏激励器电路,包括一供电电源子电路,其特征是:还包括一 个与供电电源相连接的能产生脉冲电流的电路;该脉冲电流电路中连接有一个 微处理器子电路,并受微处理器子电路控制,所述的脉冲电流电路还包括一个 充电子电路和一个放电子电路,所述的充电子电路包括一场效应管、一单端反 激变压器、一整流二极管、第一电阻、一储能电容;所述的单端反激变压器的 初级结束端电连接于供电电源子电路,且该单端反激变压器的初级起始端与所 述的场效应管的漏极相电连接,所述场效应管的源极与地直接相连接或通过一 阻值不大于1Ω的无感电阻与地相连接,且该场效应管的栅极与所述微处理器子 电路相连接,所述的单端反激变压器的次级起始端与所述第一电阻,所述整流 二极管以及所述储能电容构成回路连接;其中所述储能电容与续流二极管及其 串接的限流电阻相并联连接;所述的放电子电路包括一单向可控硅、一电感、 一第二电容、输出变压器、所述续流二极管、一个限流电阻,电感一端与所述 储能电容的一极相连接,该电感另一端与所述可控硅的阳极相电连接;所述可 控硅的阴极与系统的地电连接,该单向可控硅的触发极与微处理器子电路相电 连接,所述输出变压器的初级一端与储能电容相电连接,另一端与系统的地电 连接;所述的第二电容与该输出变压器的初级相并联连接;所述的电围栏激励 器电路中还包括一个分压保持电路;所述的分压保持电路包括第四电阻、第五 电阻、第四电容;所述的第四电阻一端与所述电围栏激励器电路中的电感(L)的 一端、续流二极管(D2)、第一电阻(R1)相连接,该第四电阻的另一端与第五电 阻连接后与系统的地电连接,第四电容与第五电阻并联,所述的微处理器子电路 连接在所述第四电阻与所述第五电阻之间;所述的电围栏激励器电路中还包括 一个分压整流保持电路,所述的分压整流保持电路包括第二电阻、第三电阻、 第三电容、第三二极管,其中所述的第二电阻一端与所述单端反激变压器的次 极的一端相连;该第二电阻另一端与第三二极管以及第三电容依次串联连接, 所述第三电容的另一端与系统的地电连接;所述第三电阻一端连接在所述第三 电容与第三二极管之间,并与所述微处理器子电路相连,该第三电阻的另一端 连接在一个Vcc电压上。
2.如权利要求1所述的电围栏激励器电路,其特征是:所述场效应管用双 极型晶体管(BJT)取代。
3.如权利要求1所述的电围栏激励器电路,其特征是:根据电流的大小而 定,所述续流二极管串联连接的限流电阻是一电阻值为0Ω的短路线,或者是一 段PCB线路板上的印制联线。
4.如权利要求1所述的电围栏激励器电路,其特征是:所述的单向可控硅 用三象限可控硅取代,而三象限可控硅相应的触发电路仅为一只电阻。
5.如权利要求1或4所述的电围栏激励器电路,其特征是:为了达到硬件 安全的要求,各个电路中的电阻是由多个电阻通过并联或串联联接而成的一个 复合电阻。
6.如权利要求1所述的电围栏激励器电路,其特征是:为了达到耐电流或 耐电压的要求,各个电路中的二极管是由多个二极管通过并联或串联联接而成 的一个复合二极管。
7.如权利要求1所述的电围栏激励器电路,其特征是:为了达到硬件安全 的要求,各个电路中的电容是由多个电容通过并联或串联联接而成的一个复合 电容。
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