[发明专利]溅射磁控管装置有效

专利信息
申请号: 200910107049.6 申请日: 2009-04-30
公开(公告)号: CN101877300A 公开(公告)日: 2010-11-03
发明(设计)人: 许生;徐升东;庄炳河;郭杏元 申请(专利权)人: 深圳市豪威薄膜技术有限公司
主分类号: H01J37/34 分类号: H01J37/34;C23C14/35
代理公司: 广东国晖律师事务所 44266 代理人: 欧阳启明
地址: 518067 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 溅射 磁控管 装置
【权利要求书】:

1.一种溅射磁控管装置,所述的溅射磁控管包括定位基座、导磁体、固定轴和磁体组件,该磁体组件通过磁力设置于导磁体上,该导磁体通过固定轴固定于定位基座上,其特征在于:所述的磁体组件包括端部磁体阵列、延目标体轴向平行设置的中间磁体阵列和两侧磁体阵列,所述的导磁体包括中间导磁体和端部导磁体,所述的中间磁体阵列和两侧磁体阵列与导磁体之间设置有可旋转或沿中间导磁体滑动的导磁片,所述的端部磁体阵列设置于端部导磁体上并与中间磁体阵列和两侧磁体阵列形成封闭磁场。

2.根据权利要求1所述的溅射磁控管装置,其特征在于:所述的定位基座上还设置有调节导磁体上下移动的调节定位装置,该调节定位装置与导磁体相抵制。

3.根据权利要求2所述的溅射磁控管装置,其特征在于:所述的导磁体与定位基座之间还设置有支座,该支座的底面与调节装置相抵制,该支座与导磁体的侧面通过紧固螺钉结合。

4.根据权利要求3所述的溅射磁控装置,其特征在于:所述的中间磁体阵列、两侧磁体阵列和端部磁体阵列中单个磁体的磁极方向一致,所述的两侧磁体阵列和端部磁体阵列的磁极方向与中间磁体整列的磁极方向相反。

5.根据权利要求2-4任一所述的溅射磁控管装置,其特征在于:所述的端部磁体阵列中的磁体少于中间磁体阵列和两侧磁体阵列,该端部磁体阵列呈不规则的层状结构排列。

6.根据权利要求5所述的溅射磁控管装置,其特征在于:所述的端部导磁体与中部导磁体分别开设有位置相对应的通孔和螺纹孔,并采用连接螺钉通过所述的孔相互连接在一起。

7.根据权利要求6所述的溅射磁控管装置,其特征在于:所述的调节定位装置是在定位基座上开设螺纹孔,并通过螺钉穿过螺纹孔来调节导磁体的位移和定位。

8.根据权利要求7所述的溅射磁控管装置,其特征在于:所述的导磁体的表面是平面、棱柱面或圆弧面,导磁片与导磁体相贴合的面与导磁体的形状相一致。

9.根据权利要求8所述的溅射磁控管装置,其特征在于:所述的磁体组件采用钕铁硼或钐一钴材料制成,磁体组件表面镀有导磁材料。

10.根据权利要求5所述的溅射磁控管装置,其特征在于:所述的固定轴上还设置有定位销或紧固套。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市豪威薄膜技术有限公司,未经深圳市豪威薄膜技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910107049.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top