[发明专利]一种透明导电膜玻璃及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种透明导电膜玻璃及其制造方法。

背景技术

太阳能电池市场在近几年来开始推广建筑光伏一体化，由于晶体硅电池具 有不同透性以及需要强光才可发电，而薄膜电池相对在建筑上应用具有弱光发 电的优势，所以具有发展的潜力。

目前全球都在生产和研究太阳能薄膜电池。薄膜电池组件中的前电极盖板 目前都是采用透明导电膜玻璃，商业化的透明导电膜玻璃的生产技术目前主要 有以下两种：

其中一种方式是采用掺氟二氧化锡薄膜，其制造方式主要是在浮法生产线 上采用在线喷雾热解法的方式沉积一层掺氟二氧化锡薄膜。然而，在玻璃表面 沉积掺氟二氧化锡薄膜后的玻璃存在透过率无法达到＞80％、方块电阻值≥ 18Ω、雾度低、因玻璃的横向尺寸过宽导致均匀性差等问题，从而影响着太阳 能薄膜电池的转换效率。

另一种方式是在浮法玻璃表面以磁控溅射方式沉积一层氧化铟锡薄膜，氧 化铟锡薄膜本身虽然具有很好的性能，然而，氧化铟锡薄膜因受热后稳定性差， 在PECVD(化学气相沉积)过程中被氢还原、方块电阻值升高与均匀性差、价 格高等因素，无法在太阳能薄膜电池领域上应用。

就以上掺氟二氧化锡导电膜玻璃与氧化铟锡导电膜玻璃存在的问题，如何 提高太阳能光电转换效率，是业界急待解决的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种透明导电膜玻璃及其制造方法， 旨在解决现有透明导电膜玻璃透过率低、方块电阻值高的问题。

本发明进一步所要解决的技术问题在于提供一种透明导电膜玻璃及其制造 方法，旨在解决现有透明导电膜玻璃方块电阻值均匀性差的问题。

本发明进一步所要解决的另一个技术问题在于提供一种透明导电膜玻璃及 其制造方法，旨在解决现有太阳能薄膜电池领域透明导电膜玻璃雾度高的问题。

为解决上述技术问题，本发明实施例是这样实现的：提供一种透明导电膜 玻璃，具有玻璃基片，以及沉积在玻璃基片表面的硅膜、沉积在硅膜表面的掺 铝氧化锌透明导电膜。

进一步地，所述掺铝氧化锌透明导电膜表面具有若干凹坑。

本发明实施例还提供一种透明导电膜玻璃的制造方法，包括以下步骤：

(1)对玻璃基片进行预处理；

(2)在玻璃基片上沉积一层硅膜；

(3)在硅膜上沉积一层掺铝氧化锌透明导电膜；

(4)选择性地对透明导电膜玻璃进行制绒处理，或者在掺铝氧化锌透明导 电膜上进一步沉积一层氧化硅膜或氮化硅膜。

作为上述技术方案的进一步改进，在所述步骤(2)及步骤(3)中，分别 通过磁控溅射方法沉积硅膜及掺铝氧化锌透明导电膜。

上述透明导电膜玻璃采用离线法生产，无需在浮法生产线上沉积膜层，可 采用任何玻璃作为玻璃基片，可提高玻璃原片的优化率，从而透过率较高，成 本较低，生产效率较高。掺铝氧化锌透明导电膜玻璃的方块电阻值低，可很好 地使太阳光穿透，提高太阳能薄膜电池的光电转换率，在屏蔽材料上具有优越 的屏蔽效果。此外，掺铝氧化锌透明导电膜以磁控溅射方法进行沉积，有利于 膜层均匀性的提高；掺铝氧化锌透明导电膜进行制绒处理后，于表面形成的凹 坑可防止入射光发生二次反射，从而提高玻璃的雾度。

附图说明

图1是本发明中透明导电膜玻璃一较佳实施例的结构示意图。

图2是图1所示的透明导电膜玻璃表面放大后的结构示意图。

图3是本发明中透明导电膜玻璃另一较佳实施例的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白， 以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描 述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

请参阅图1至图3，该透明导电膜玻璃具有玻璃基片1，以及沉积在玻璃基 片1表面的硅膜2、沉积在硅膜2表面的掺铝氧化锌透明导电膜3。

所述硅膜2的厚度为30-150nm，其中单质硅的质量百分比为97％-99.5％， 铝的质量百分比为0.5％-3％，所述掺铝氧化锌透明导电膜3的厚度为 300nm-3μm，其中氧化锌的质量百分比为95％-99.9％，铝的质量百分比为0.1％ -5％。