[发明专利]一种宽频带负磁导率材料及其制备方法有效
| 申请号: | 200910101283.8 | 申请日: | 2009-07-27 |
| 公开(公告)号: | CN101604777A | 公开(公告)日: | 2009-12-16 |
| 发明(设计)人: | 陈红胜 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
| 主分类号: | H01P1/00 | 分类号: | H01P1/00;H01P7/00;H01P11/00;G02F1/00 |
| 代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人: | 林怀禹 |
| 地址: | 310027浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 宽频 磁导率 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种宽频带负磁导率材料,其特征是:它包括第一介质、第二介质和磁谐振环,所述磁谐振环具有负磁导率,所述第二介质在所述磁谐振环的环内,所述第一介质在所述磁谐振环的环外,所述第二介质的磁导率的绝对值大于第一介质的磁导率的绝对值。
2.根据权利要求1所述的一种宽频带负磁导率材料,其特征是:所述磁谐振环为次波长磁谐振环。
3.根据权利要求1或2所述的一种宽频带负磁导率材料,其特征是:所述第一介质是由闭合的金属环构成的周期阵列,或者是由闭合的金属环随意堆叠而成的结构。
4.根据权利要求1或2所述的一种宽频带负磁导率材料,其特征是:在所述磁谐振环的环外设置有闭合的金属环和支撑体,所述闭合的金属环由所述支撑体支撑,所述闭合的金属环和支撑体共同构成第一介质。
5.一种权利要求1的宽频带负磁导率材料的制备方法,其特征是它包括如下步骤:
1)将具有负磁导率的磁谐振环印制或刻蚀在第一介质上;将第一介质在磁谐振环的环内部分去除;
2)用第二介质填充所述磁谐振环的环内区域,所述第二介质的磁导率的绝对值大于第一介质的磁导率的绝对值。
6.一种权利要求1的宽频带负磁导率材料的制备方法,其特征是它包括如下步骤:
1)将具有负磁导率的磁谐振环印制或刻蚀在第二介质上,使磁谐振环的内边界与第二介质的外边界吻合;
2)去除第一介质中与磁谐振环外边界尺寸相同的部分,将印制有磁谐振环的第二介质填充到第一介质的空出区域中,所述第二介质的磁导率的绝对值大于第一介质的磁导率的绝对值。
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