[发明专利]一种优序法的GPP芯片腐蚀方法

权利要求书

1.一种优序法的玻璃披覆钝化芯片腐蚀方法，其特征在于它在沟槽腐蚀时采用以下步骤：

1).顺序法和倒序法交替使用进行开沟腐蚀：

1-1).将芯片按顺序分成N架，N为大于1的自然数；

1-2).将第1架芯片放入酸槽中进行第一次开沟，完毕后，取出第1架芯片，按此步骤，按顺序分别将后续各架芯片放入酸槽中进行第一次开沟，直至第N架芯片第一次开沟完毕后；

1-3).将第N架芯片旋转90度，在酸槽中进行第二次开沟，完毕后，取出第N架芯片，按此步骤，按倒序分别将后续各架芯片放入酸槽中进行第二次开沟，直至第1架芯片第二次开沟完毕后；

1-4).将第1架芯片继续旋转90度，在酸槽中进行第三次开沟，完毕后，取出第1架芯片，按此步骤，按顺序分别将后续各架芯片放入酸槽中进行第三次开沟，直至第N架芯片第三次开沟完毕后；

1-5).将第N架芯片继续旋转90度，在酸槽中进行第四次开沟，完毕后，取出第N架芯片，按此步骤，按倒序分别将后续各架芯片放入酸槽中进行第四次开沟，直至第1架芯片第四次开沟完毕后；

2).将所有芯片按沟深分档，分成M架，分别放入酸槽中开沟至要求深度，M为大于1的自然数，M与N相等或不等。

2.如权利要求1所述的一种优序法的玻璃披覆钝化芯片腐蚀方法，其特征在于在上述步骤2)的开沟中，按沟浅的芯片所在架至沟深的芯片所在架的顺序依次进行开沟。

3.如权利要求1所述的一种优序法的玻璃披覆钝化芯片腐蚀方法，其特征在于在沟槽腐蚀之前，对芯片进行预处理，所述预处理方法为：在125℃-135℃的温度下预烘烤，然后自然冷却至室温。