[发明专利]一种简单的电源开机浪涌抑制电路

权利要求书

1.一种电源开机浪涌抑制电路，包括主电路、可控硅浪涌抑制电路，所述的主电 路为由电感L1、二极管D2、电容C4和开关管Q2组成的BOOST功率变换电 路，电感L1的一端接输入正端，另一端接二极管D2的阳极和开关管Q2的漏 极，电容C4的负端接开关管Q2的源极和地，其特征在于所述的可控硅浪涌 抑制电路包括可控硅Q1、启动电阻R2和可控硅延时触发电路，可控硅Q1的 阳极接二极管D2的阴极和启动电阻的R2的一端，可控硅Q1的阴极接启动电 阻的R2的另一端和电容C4的正端，可控硅Q1的门极接可控硅延时触发电路。

2.如权利要求1所述的一种电源开机浪涌抑制电路，其特征在于所述的可控硅延 时触发电路包括电阻R1、电容C1、电容C2和驱动电源Vbias，电容C1的一 端接电阻R1的一端和可控硅Q1的门极，电容C1的另一端接电阻R1的另一 端、电容C2的正端和驱动电源Vbias的正端，驱动电源Vbias的负端接电容 C2的负端和电容C4的正端。

3.如权利要求2所述的一种电源开机浪涌抑制电路，其特征在于所述的驱动电源 Vbias由电感L1的副边绕组和一个二极管D4提供，电感L1的副边绕组的一 端接二极管D4的阳极，另一端接电容C2的负端；二极管D4的阴极接电容 C2的正端。

4.如权利要求2所述的一种电源开机浪涌抑制电路，其特征在于所述的驱动电源 Vbias由电感L1的副边绕组和一个包括电容C5、电容C6、二极管D4和二极 管D5的倍压整流电路提供，电感L1的副边绕组的一端接电容C5的一端，另 一端接电容C2的负端、二极管D4的阳极和电容C6的一端；电容C5的另一 端接二极管D4的阴极和二极管D5的阳极；二极管D5的阴极接电容C6的另 一端和电容C2的正端。

5.如权利要求2所述的一种电源开机浪涌抑制电路，其特征在于所述的驱动电源 Vbias由电感L1的副边绕组和一个包括电容C5、电容C6、二极管D4和二极 管D5的倍压整流电路提供，电感L1的副边绕组的一端接二极管D5的阳极和 二极管D4的阴极，另一端接电容C5的一端和电容C6的一端；电容C5的另 一端接二极管D4的阳极和电容C2的负端，电容C6的另一端接二极管D5的 阴极和电容C2正端。

6.如权利要求2所述的一种电源开机浪涌抑制电路，其特征在于所述的驱动电源 Vbias由外部驱动电路提供。

7.如权利要求2-6任何一项所述的一种电源开机浪涌抑制电路，其特征在于在可 控硅Q1的阳极和地之间接吸收电容C3，用以吸收可控硅Q1上的冲击电压。

8.如权利要求1所述的一种电源开机浪涌抑制电路，其特征在于所述的可控硅延 时触发电路包括电阻R3、电容C7和二极管D3，二极管D3的阳极接二极管 D2的阳极；二极管D3的阴极接电阻R3的一端和电容C7的一端；电容C7的 另一端接地；电阻R3的另一端接可控硅Q1的门极。

9.如权利要求8所述的一种电源开机浪涌抑制电路，其特征在于在可控硅Q1的 阳极和地之间接吸收电容C3，用以吸收可控硅Q1上的冲击电压。