[发明专利]线性化的高阻值MOSFET有源电阻有效
| 申请号： | 200910095462.5 | 申请日： | 2009-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101447267A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 陈锋;奚剑雄 | 申请（专利权）人： | 杭州硅星科技有限公司 |
| 主分类号： | H01C13/00 | 分类号： | H01C13/00;H01L27/02;H03H11/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 周 烽 |
| 地址： | 310012浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 线性化 阻值 mosfet 有源 电阻 | ||
1.一种线性化的高阻值MOSFET有源电阻，其特征在于，它主要由第一电流源(1)、第三NMOS管(2)、第一NMOS管(3)、第二NMOS管(5)、第三电流源(6)和第四NMOS管(7)组成；其中，所述第一NMOS管(3)的漏极与第二NMOS管(5)的漏极相连，第一NMOS管(3)的源极与第二NMOS管(5)的源极相连，第一NMOS管(3)的源极与第三NMOS管(2)的源极相连，第一NMOS管(3)的栅极与第三NMOS管(2)的栅极相连，第三NMOS管(2)的栅极与第三NMOS管(2)的漏极相连，第三NMOS管(2)的漏极与第一电流源(1)的电流流出端相连；第二NMOS管(5)的漏极还与第四NMOS管(7)的源极相连，第二NMOS管(5)的栅极与第四NMOS管(7)的栅极相连，第四NMOS管(7)的栅极与第四NMOS管(7)的漏极相连，第四NMOS管(7)的漏极与第三电流源(6)的电流流出端相连。
2.根据权利要求1所述线性化的高阻值MOSFET有源电阻，其特征在于，还包括一第二电流源(4)，其电流流入端与第三NMOS管(2)的源极相连，电流流出端接地。
3.根据权利要求1或2所述线性化的高阻值MOSFET有源电阻，其特征在于，还包括一第四电流源(8)，其电流流入端与第四NMOS管(7)的源极相连，电流流出端接地。
4.一种线性化的高阻值MOSFET有源电阻，其特征在于，它主要由第三PMOS管(9)、第二电流源(4)、第一PMOS管(10)、第二PMOS管(11)、第四PMOS管(12)和第四电流源(8)组成；其中，所以第一PMOS管(10)的漏极与第二PMOS管(11)的漏极相连，第一PMOS管(10)的源极与第二PMOS管(11)的源极相连，第一PMOS管(10)的源极还与第三PMOS管(9)的源极相连，第三PMOS管(9)的漏极与第二电流源(4)的电流流入端相连，第二电流源(4)的电流流出端接地；第一PMOS管(10)的栅极与第三PMOS管(9)的栅极相连，第三PMOS管(9)的栅极与第三PMOS管(9)的漏极相连；第二PMOS管(11)的漏极与第四PMOS管(12)的源极相连，第二PMOS管(11)的栅极与第四PMOS管(12)的栅极相连，第四PMOS管(12)的栅极与第四PMOS管(12)的漏极相连，第四PMOS管(12)的漏极与第四电流源(8)的电流流入端相连，第四电流源(8)的电流流出端接地。
5.根据权利要求4所述线性化的高阻值MOSFET有源电阻，其特征在于，还包括一第一电流源(1)，其电流流出端与第三PMOS管(9)的源极相连。
6.根据权利要求4或5所述线性化的高阻值MOSFET有源电阻，其特征在于，还包括一第三电流源(6)，其电流流出端与第四PMOS管(12)的源极相连。
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