[发明专利]含镧系稀土和钪的YVO4透明激光陶瓷的制备方法无效

专利信息
申请号: 200910094955.7 申请日: 2009-09-11
公开(公告)号: CN101659551A 公开(公告)日: 2010-03-03
发明(设计)人: 冯晶;肖冰;陈敬超;于杰;李宁;周荣 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C04B35/622 分类号: C04B35/622;C04B35/50;C04B35/495
代理公司: 昆明今威专利代理有限公司 代理人: 赵 云
地址: 650093云南省昆明市*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 含镧系 稀土 yvo sub 透明 激光 陶瓷 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种透明激光陶瓷材料,特别是含镧系稀土和钪的YVO4透明激 光陶瓷的制备方法,属于材冶技术领域。

背景技术

激光透明陶瓷材料是新一代固态激光器的重要原材料,对发展大功率、小 体积等激光技术有重要影响,相关技术可应用于导航、精密测量、制造业、医 疗卫生领域等。透明激光陶瓷技术的掌握最初是日本,代表性专利有 JP05-286761,JP05-286762,JP05-294722,JP05-294273,JP294722等,随后美 国,德国,英国,法国等都相继跟进研究出了相应的透明激光陶瓷,我国起步 较早的是中科院上海硅酸盐研究所,以及上海光机所等单位,代表性的成果为 掺钕钇铝石榴石(Nd:YAG),及其它透明陶瓷的还有单掺杂或双掺杂的YAG, Y2O3等透明陶瓷,专利申请号如200710045226.3,200510027208.3, 200510026474.4,200710055449.8,200810105499.7等,鉴于激光透明陶瓷的重 要性,已被列入国家自然科学基金2009年重大科技项目。

传统激光单晶制备工序复杂,周期长,尺寸小,价格昂贵,且掺杂的稀土离 子浓度非常有限,而随着单晶的生长出现浓度不均匀现象等,这些缺点在一定程 度上影响了固态激光器的整体性能。因此,当用单晶材料制作较大功率的激光器 时,存在的缺点成为巨大的瓶颈。公知的最广泛使用的透明激光陶瓷是Nd:YAG 系列,事实上掺钕钒酸钇(Nd:YVO4)也是一种性能优良的激光基质晶体,适于制 作激光二极管(LD)泵浦的全固态激光器。该材料具有低激光阈值,高斜率效率, 大的受激发射截面,在很宽的波长范围对泵浦光有很大的吸收,而调单模,有高 抗光伤能力,和KTP晶体的组合可以制作高功率稳定的红外、绿光或红光激光器。 现在Nd:YVO4激光器已在机械、材料加工、波谱学、晶片检验、显示器、医学检 测、激光印刷、数据存储等多个领域得到广泛的应用。

事实上钕作为一种镧系元素在晶体材料中提供受激源,通过其f壳层电子结 构的能级间跃迁而发射光谱,公知的领域普遍认为镧系金属元素性质相近,并且 都具有相近的最外层电子结构,即如果环境适宜大部分可以在受激情况下发射激 光。而YVO4为一种四方结构相,是一种比氧化钇(Y2O3)和氧化钒(V2O5)更 稳定的复杂氧化物;钪元素在性质方面与金属钇相近,而氧化钪是具有稀土倍半 氧化物的立方结构,熔点2403℃±20℃,通常可用作半导体镀层的蒸镀材料,可 制作变波长的固态激光器和高清晰度的电视电子枪、金属卤化物灯等。

公知的掺钕钒酸钇(Nd:YVO4)目前受到来自Nd:YAG透明陶瓷的竞争压力, 陶瓷烧结法使Nd:YAG的掺杂浓度大于6%原子浓度,因而使其吸收长度能与 Nd:YVO4的单晶相媲美;另外的缺陷是Nd:YAG陶瓷的导热率明显高于 Nd:YVO4,限制了Nd:YVO4发挥其优良作用,为了进一步提升激光器材及单晶 材料的性能限制等问题,本发明针对以上提出制备透明Ln:Y(Sc)VO4激光陶 瓷,通过与Y原子性质相近的Sc取代在YVO4结构中的部分Y原子来提高材料 的导热性能,并采用镧系稀土离子的复杂电子结构来改善激光发射性能,拓宽 了激光发射波长,且有效提高了稀土离子的掺杂浓度,大大提高了材料制备的 性能和可操作性,降低了复杂的单晶拉伸制备过程,相关文献和专利数据调查 表明,目前世界范围内还很少有本专利提出的技术方案来制备Ln:Y(Sc)VO4透明激光陶瓷材料的报道。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种含镧系稀土和钪的YVO4透明激光 陶瓷的制备方法,可以制备较大尺寸的透明陶瓷,制造周期和成本较低,可以 方便地根据要求改变激光发射离子的种类,从而使材料的综合性能得到提高, 并可提高YVO4系列陶瓷材料的导热性能。

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