[发明专利]PtIr合金薄膜及涂层的制备方法无效
| 申请号: | 200910094859.2 | 申请日: | 2009-08-21 |
| 公开(公告)号: | CN101643894A | 公开(公告)日: | 2010-02-10 |
| 发明(设计)人: | 胡昌义;陈力;魏燕;蔡宏中;毛传军;王云 | 申请(专利权)人: | 贵研铂业股份有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;H01B5/14;H01B1/02;F02K1/00 |
| 代理公司: | 昆明今威专利代理有限公司 | 代理人: | 赛晓刚 |
| 地址: | 650106云南省昆明市高新技术*** | 国省代码: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | ptir 合金 薄膜 涂层 制备 方法 | ||
1.一种PtIr合金薄膜和涂层的制备方法,其特征在于依次包括下列工艺步骤:
(1)以钼、石墨、或其他金属及陶瓷为基体,并将基体材料进行表面抛光和高温真空除气处理;
(2)以含铂或铱的金属有机化合物为制备PtIr合金的前驱体,将制得的前驱体分别置于二个石英舟中,并采用二个分立的电炉分别控制二种前驱体的加热温度;
(3)采用中频或高频感应炉加热沉积基体,沉积过程中基体随旋转台旋转;
(4)控制MOCVD工艺条件沉积PtIr合金,根据设计的厚度要求确定沉积时间。
2、根据权利要求1所述的PtIr合金薄膜和涂层的制备方法,其特征在于所述的含铂或铱的金属有机化合物是乙酰丙酮铂和乙酰丙酮铱,乙酰丙酮铂的量为1.0g-50g,乙酰丙酮铱的量为1.0g-50g.
3、根据权利要求1所述的PtIr合金薄膜和涂层的制备方法,其特征在于所述的MOCVD沉积工艺是:反应气体流量为5ml/min,运载气体(氩气)流量为50ml/min,沉积室压力控制在600Pa;PtIr合金薄膜沉积速率为6-18.0μm/h,涂层厚度50μm。
4、根据权利要求1所述的PtIr合金薄膜和涂层的制备方法,其特征在于所述的乙酰丙酮铱加热温度200℃-250℃,乙酰丙酮铂加热温度200℃-250℃,基体温度600℃-700℃。
5、根据权利要求1所述的PtIr合金薄膜和涂层的制备方法,其特征在于所述的PtIr合金中Ir的含量重量百分比是10wt%-30wt%,余量为Pt。
6、如利要求1所述的PtIr合金薄膜和涂层的制备方法分别应用于电接触材料和发动机喷管涂层。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





