[发明专利]一种增强红外焦平面探测器与读出电路铟柱电学连接的方法无效
| 申请号： | 200910092190.3 | 申请日： | 2009-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101644602A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 沈悦;谢珩;刘明;王成刚;朱西安 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | G01J5/00 | 分类号： | G01J5/00 |
| 代理公司： | 信息产业部电子专利中心 | 代理人： | 梁 军 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 增强 红外 平面 探测器 读出 电路 电学 连接 方法 | ||
1.一种增强红外焦平面探测器与读出电路铟柱电学连接的方法，其特征在于，包括下列步骤：
步骤A：在制备好的生长完铟柱的探测器芯片侧进行光刻；
步骤B：利用离子铣设备在铟柱上生长金薄膜；
步骤C：将探测器上的光刻胶去除干净；
步骤D：将探测器芯片和读出电路的铟柱对准倒扣，并进行回流，完成倒装焊接工艺。
2.如权利要求1所述的增强红外焦平面探测器与读出电路铟柱电学连接的方法，其特征在于，在所述步骤A中，所述金薄膜生长厚度为3000-6000埃。
3.如权利要求1所述的增强红外焦平面探测器与读出电路铟柱电学连接的方法，其特征在于，在所述步骤C中，将探测器上的光刻胶去除干净，包括下列步骤：将生长完金的探测器放入丙酮溶液中浸泡预定时间，利用剥离技术将光刻胶去除干净。
4.如权利要求3所述的增强红外焦平面探测器与读出电路铟柱电学连接的方法，其特征在于，所述浸泡预定时间为1至2小时。
5.如权利要求3所述的增强红外焦平面探测器与读出电路铟柱电学连接的方法，其特征在于，在所述步骤B中，所述金薄膜是在真空度为10-7Torr，样品盘温度控制在70摄氏度的离子铣腔室内生长的。
6.如权利要求3所述的增强红外焦平面探测器与读出电路铟柱电学连接的方法，其特征在于，在所述步骤D中，利用倒装焊接设备将读出电路和探测器芯片进行互连，互连后在回流炉中加热至140-180摄氏度，持续5至10分钟。
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