[发明专利]红外双色碲镉汞探测器台面钝化方法

权利要求书

1.一种红外双色碲镉汞探测器台面钝化方法，其特征在于，包括：

步骤A：对双色碲镉汞探测器的芯片台面裸露的碲镉汞进行腐蚀，消除物 理损伤薄膜，去除表面硫化锌膜层；

步骤B：利用磁控溅射设备对经过步骤A处理后的芯片台面进行钝化处理；

其中，所述步骤A具体包括：

将双色碲镉汞探测器的芯片台面表面用光刻胶保护，利用溴甲醇对侧壁和 底面裸露的碲镉汞进行腐蚀，消除物理损伤膜层；

去除光刻胶，利用盐酸腐蚀表面硫化锌膜层，脱水吹干；

所述步骤B具体包括：

缩小芯片样品和靶材的靶间距离到预定靶间距离值，并将吹干的芯片样品 固定在样品盘上；

对真空腔室进行抽真空处理，使其达到磁控溅射设备预定的本底真空值；

通过气路向真空腔室中充入氩气，调节变通处于半开状态，加大溅射气压， 使得真空腔室中的气体压力达到预定溅射气压值；

通过先后两次选取射频电源的功率，生长碲镉层和硫化锌膜层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定靶间距离值为70mm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定溅射气压值为1.5pa。