[发明专利]一种制备单晶硅绒面的方法无效
| 申请号： | 200910091827.7 | 申请日： | 2009-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN101634027A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 勾宪芳;许颖;励旭东;宋爽;张燕鹏;谢芳吉 | 申请（专利权）人： | 北京市太阳能研究所有限公司;江苏艾德太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/32 | 分类号： | C23F1/32;C30B33/10;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐 宁 |
| 地址： | 10019*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 单晶硅 方法 | ||
1、一种制备单晶硅绒面的方法，它包括以下步骤：
1)在75℃～85℃恒温槽内配制包括碱溶液、硅酸钠和异丙醇的碱腐蚀溶液，其中，碱溶液的体积百分比为1％～2.5％，硅酸钠的质量百分比为0.1％～2％，异丙醇的质量百分比为0.5％～3％；
2)将浓度为5*10-5～5*10-3mol/L的全氟辛基磺酸盐溶液加入步骤1)中配制有碱腐蚀溶液的恒温槽中，使全氟辛基磺酸盐溶液的体积百分比为0.2～1％，同时将单晶硅放入恒温槽中进行腐蚀反应，10～20min后，将单晶硅取出，用去离子水冲洗干净并烘干。
2、如权利要求1所述的一种制备单晶硅绒面的方法，其特征在于：所述步骤1)中的碱溶液为氢氧化钠或氢氧化钾或碳酸钠溶液。
3、如权利要求1所述的一种制备单晶硅绒面的方法，其特征在于：恒温槽的温度为80℃且碱溶液为氢氧化钠时，所述单晶硅经碱腐蚀溶液腐蚀后的表面上形成了均匀的金字塔绒面，且金字塔的边长为1～8μm。
4、如权利要求2所述的一种制备单晶硅绒面的方法，其特征在于：恒温槽的温度为80℃且碱溶液为氢氧化钠时，所述单晶硅经碱腐蚀溶液腐蚀后的表面上形成了均匀的金字塔绒面，且金字塔的边长为1～8μm。
5、如权利要求1或2或3或4所述的一种制备单晶硅绒面的方法，其特征在于：恒温槽的温度为80℃且碱溶液为氢氧化钠时，所述单晶硅上被腐蚀掉的厚度为5～15μm。
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