[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种阻变存储器，其包括：

绝缘衬底，

在该绝缘衬底上的底电极，

在该底电极上的WO_x薄膜，其中x的范围为2≤x≤3，和

在该WO_x薄膜上的顶电极。

2.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于所述WO_x薄膜的厚度为10-1000nm，优选300nm。

3.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于其中x＝3。

4.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于所述绝缘衬底是透明的，和由石英玻璃、SrTiO₃单晶、LaAlO₃单晶、Al₂O₃单晶材料、透明的有机材料聚醚砜树脂之一形成。

5.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于所述绝缘衬底是非透明的，并且由单晶硅或者多晶硅形成。

6.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于所述底电极和顶电极为透明导电材料，优选使用ITO、FTO、AZO、锡酸盐、SnO₂、In₂O₃、Ga掺杂In₂O₃、亚铜氧化物、Nb掺杂TiO₂等透明导电氧化物薄膜。

7.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于所述底电极和顶电极为非透明导电金属，并且由Ag、Au、Cu、Al、W之一形成。

8.一种制造根据权利要求1-7之一的阻变存储器的方法，包括：

提供绝缘衬底；

在该绝缘衬底上制备底电极；

在该底电极上制备WO_x薄膜，其中x的范围为2≤x≤3；和

在该WO_x薄膜上制备顶电极。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于利用溅射、脉冲激光沉积、化学气相沉积、溶胶-凝胶法或电子束蒸发法之一制备底电极和顶电极，利用用溅射、脉冲激光沉积、化学气相沉积、溶胶-凝胶法或热氧化之一制备WO_x薄膜。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于取决于制备氧化钨薄膜的不同方法，制备时的操作温度范围在室温至600℃之间；当使用脉冲激光沉积方法制备WO_x薄膜时，在10Pa的纯氧气气氛中进行沉积，衬底温度保持在400℃。