[发明专利]彩膜基板及其制造方法

权利要求书

1.一种彩膜基板，包括由金属材料制备的黑矩阵，其特征在于，所述黑矩阵上形成有通过光线的相干干涉降低黑矩阵反射光强度的透明结构层，所述透明结构层位于黑矩阵的上方。

2.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述透明结构层为由透明导电薄膜形成的透明电极，所述透明导电薄膜的厚度为折射率为1.5～2.3。

3.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述透明结构层为由有机材料薄膜形成的透明层，所述透明层的厚度为折射率为1.5～2.3。

4.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述透明结构层为由无机材料薄膜形成的透明层，所述透明层的厚度为折射率为1.5～2.3。

5.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述透明结构层为由所述黑矩阵表面氧化形成的透明氧化层，所述透明氧化层的厚度为折射率为2.2～2.8。

6.一种彩膜基板制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成包括黑矩阵的图形；

在完成前述步骤的基板上形成通过光线的相干干涉降低黑矩阵反射光强度的透明结构层，所述透明结构层位于黑矩阵的上方。

7.根据权利要求6所述的彩膜基板制造方法，其特征在于，所述在基板上形成包括黑矩阵的图形包括：在基板上沉积一层厚度为的黑矩阵金属层，通过构图工艺形成黑矩阵图形。

8.根据权利要求6或7所述的彩膜基板制造方法，其特征在于，所述形成通过光线的相干干涉降低黑矩阵反射光强度的透明结构层包括：采用磁控溅射或热蒸发的方法沉积一层透明导电薄膜，形成透明电极，所述透明导电薄膜的厚度为透明导电薄膜的折射率为1.5～2.3，沉积透明导电薄膜的工艺参数为：功率为40Kw～80Kw，温度为20℃～100℃，气压为0.4Pa～1.0Pa。

9.根据权利要求6或7所述的彩膜基板制造方法，其特征在于，所述形成通过光线的相干干涉降低黑矩阵反射光强度的透明结构层包括：采用离子体增强化学气相沉积方法沉积一层无机材料薄膜，形成透明层，所述无机材料薄膜的厚度为折射率为1.5～2.3，沉积工艺参数为：功率为1500w～5000w，气压为100Pa～270Pa，SiH₄流量为500sccm～1500sccm，NH₃流量2000sccm～4000sccm，N₂流量15000sccm～30000sccm。

10.根据权利要求6或7所述的彩膜基板制造方法，其特征在于，所述形成通过光线的相干干涉降低黑矩阵反射光强度的透明结构层包括：对所述黑矩阵的表面进行氧化处理，在黑矩阵表面形成透明氧化层，所述透明氧化层的厚度为折射率为2.2～2.8，形成表面氧化膜CrOx工艺参数为：射频功率为5KW～12KW，气压为25Pa～80Pa，气体的流量为1000～4000sccm。