[发明专利]高纯高产率网络状分枝氮化硅单晶纳米结构的制备方法

权利要求书

1.高纯高产率网络状分枝氮化硅单晶纳米结构的制备方法，其特征在于：所述方法通过 热解有机前驱体在镀有催化剂的基片上合成网络状分枝氮化硅纳米结构，包括以下步骤：

(1)硅、氮分别超过15at％和20at％，氧含量不超过3at％的聚硅氮烷，在高纯氮气、 氩气或者氨气气氛下，在160-300℃下催化或者无催化热交联固化0.5-2小时，得到半透明 的SiCN非晶固体；

(2)将该半透明的SiCN非晶固体在玛瑙容器中捣碎，然后和高耐磨氧化锆磨球混合， 在聚氨酯球磨罐中，在高能球磨机上研磨粉碎2-24小时，得到非晶态SiCN粉末；

(3)将经球磨后的前驱体粉末放置在刚玉坩埚底，将镀有金属催化剂Fe、Co、Ni或Cu 薄膜的基片置于坩埚内粉末的上方，在氮气或者氨气保护下，快速升温至1150-1450℃加热 20分钟到4小时，即可在基片上得到高纯高产率的网络状分枝氮化硅单晶纳米结构。

2.按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中的基片为硅片、砷化 镓片、蓝宝石片、氮化硅单晶片或氧化铝模板；所述步骤(3)中的基片上沉积了一层20-100 nm厚的金属催化剂Fe、Co、Ni或Cu薄膜；所述步骤(3)中的网络状分枝氮化硅纳米结构 生长的基片离被热解的交联固化粉末的距离为0-20mm；所述步骤(3)中的升温速度为 10-50℃/分钟。