[发明专利]一种高储能密度全有机纳米复合薄膜及其制备方法无效
| 申请号: | 200910089267.1 | 申请日: | 2009-07-15 |
| 公开(公告)号: | CN101955619A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
| 发明(设计)人: | 党智敏;苑金凯 | 申请(专利权)人: | 北京化工大学 |
| 主分类号: | C08L27/16 | 分类号: | C08L27/16;C08L79/02;C08J5/18 |
| 代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 沈波 |
| 地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 高储能 密度 有机 纳米 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种高储能密度全有机复合薄膜,其特征在于,所述的复合薄膜由基体聚偏氟乙烯PVDF和填料导电聚苯胺PANI组成;复合薄膜中,基体聚偏氟乙烯所占的体积百分比为95~99%,填料导电聚苯胺所占的体积百分比为1~5%;所述的复合薄膜的厚度为25~30μm。
2.根据权利要求1所述的一种高储能密度全有机复合薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)将导电聚苯胺PANI粉末、聚偏氟乙烯PVDF和溶剂N,N-二甲基甲酰胺DMF混合后,球磨12±1h,得到前躯体溶液;其中,PANI与PVDF的质量比为(0.01~0.065)∶1,PVDF与DMF的体积比为1∶(19~20)
2)将步骤1)中制备的前躯体溶液在玻璃板上涂膜后,于60±1℃干燥2±0.1h,得到厚度为25~30μm的高储能密度全有机复合薄膜。
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