[发明专利]一种晶化硅纳米棒阵列的制备方法无效
| 申请号： | 200910086401.2 | 申请日： | 2009-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101570400A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 刘丰珍;朱美芳;马艳红 | 申请（专利权）人： | 中国科学院研究生院 |
| 主分类号： | C03C17/22 | 分类号： | C03C17/22;C04B41/50;C23C16/44;C23C16/24;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 罗文群 |
| 地址： | 100049北京市海淀区玉泉路*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶化硅 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶化硅纳米棒阵列的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤：
(1)将清洗后的衬底放入真空腔的衬底架上，使真空腔的真空度为1×10-3帕-1×10-4帕；
(2)在上述真空腔中，以高纯钨丝或钽丝作为热丝源，热丝源与所述的衬底之间的距离为7～17cm，使热丝温度达到1600-2000℃；
(3)向真空腔中通入氢气和硅烷的混合气体作为反应气体，氢气和硅烷的比例为：氢气∶硅烷＝1-5∶1，入射气流穿过所述的热丝源，入射气流与衬底法线之间的夹角为75°-85°，反应气体的气压为0.01-0.3帕，衬底旋转速率为0-30转/分。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于其中所述的衬底为单晶硅片、玻璃片或不锈钢片。
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