[发明专利]量子点生长控制方法及控制设备

权利要求书

1.一种量子点生长控制方法，其特征在于，包括：

将用于生长量子点的衬底设置在溶解有量子点材料的溶液中，在所述衬底上方的同一水平面内设置至少两列相交的超声波形成超声波驻波，使超声波驻波形成的节点柱指向所述衬底；

使溶液中的量子点材料经超声波驻波形成的节点柱向衬底上沉降生长量子点；

调整超声波在溶液中的频率或波长来调节量子点在所述衬底上的生长位置。

2.根据权利要求1所述的量子点生长控制方法，其特征在于，所述生长位置包括：量子点之间的行距、列距及密度。

3.根据权利要求1所述的量子点生长控制方法，其特征在于，所述方法还包括：

通过控制沉降时间、衬底温度、溶液的酸度、粘度、温度来控制衬底上形成量子点的大小。

4.根据权利要求1所述的量子点生长控制方法，其特征在于，所述方法还包括：通过控制形成超声波驻波的超声波的列数和超声波相交的夹角来调节衬底上生长量子点的底面形状。

5.根据权利要求4所述的量子点生长控制方法，其特征在于，所述方法进一步包括：采用两列超声波并使两列超声波呈90度角相交形成超声波驻波，在该超声波驻波形成的节点柱的作用下，在衬底上生长底面为矩形的量子点；

采用三列超声波并使三列超声波之间均呈60度角相交形成超声波驻波，在该超声波驻波形成的节点柱的作用下，在衬底上生长底面为六角形的量子点。

6.根据权利要求4所述的量子点生长控制方法，其特征在于，所述方法进一步包括：采用多列超声波并使多列相交形成超声波驻波，在该超声波驻波形成的节点柱的作用下，在衬底上生长底面为多边形的量子点。

7.根据权利要求1-6任一项所述的量子点生长控制方法，其特征在于，所述超声波的频率范围为10⁵～10¹²Hz。

8.一种量子点生长控制设备，其特征在于，包括：

容器、微调控制装置和至少两个超声波发生器；

容器内底部设有定位衬底的定位槽，各超声波发生器的超声波输出端分设在容器的侧壁，与超声波输出端相对的容器侧壁上均设有反射板，各超声波输出端处于同一水平面内，输出的超声波在水平方向上相交；微调控制装置分别与反射板和衬底定位槽连接，以调节反射板和衬底的位置。

9.根据权利要求8所述的量子点生长控制设备，其特征在于，所述超声波发生器输出的超声波的频率范围为10⁵～10¹²Hz。

10.根据权利要求8所述的量子点生长控制设备，其特征在于，所述超声波发生器上接有换能器作为超声波输出端，所述换能器由压电单晶晶振材料制备而成。