[发明专利]一种用于回旋管放大器的高频结构和对中方法

权利要求书

1.一种用于回旋管放大器的高频结构，于加载圆波导上沿中心孔辐射地均匀开有复数个耦合槽缝，各耦合槽缝方向上各自对应长方体衰减瓷，以吸收由耦合槽缝泄漏的高频场；

加载圆波导和无加载圆波导上各开设有两个呈60°的对中孔；

无加载圆波导的两侧圆周上开设的焊料槽。

2.如权利要求1所述的高频结构，其中，衰减瓷为无磁衰减材料。

3.如权利要求1或2所述的高频结构，其中，衰减瓷为氧化铍与碳化硅的混合物。

4.如权利要求1所述的高频结构，其中，无加载圆波导上沿半径开设一个排气孔。

5.一种用于回旋管放大器的高频结构的对中方法，在加载圆波导的中心孔和其中一个对中孔内放入各自的对中杆，然后将无加载圆波导插入对中杆压紧，接着将另一个加载圆波导按照对中孔方向插入对中杆并压紧，接着顺着对中孔的方向插入另一个无加载圆波导，往后依次重复前面的操作，根据需要的衰减量来确定周期数和整个长度；整个圆波导压紧后，在焊料槽中放入焊料进行钎焊焊接。

6.如权利要求5所述的对中方法，其中，在无加载圆波导对中时，选择另一个对中孔，使其与前一个加载圆波导成60°转动。

7.如权利要求5或6所述的对中方法，其中，无加载圆波导为带有排气孔的无加载圆波导。