[发明专利]避免光刻胶层图形损伤的方法无效
| 申请号： | 200910085334.2 | 申请日： | 2009-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101893823A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 杨晓松;黄德坤;余云初 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/004;G03F7/16;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 避免 光刻 图形 损伤 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种避免光刻胶层图形损伤的方法，包括：
对晶圆衬底进行气相成底膜处理、旋转涂胶、软烘及曝光；
对曝光后的具有光刻胶层的晶圆衬底等待设定的时间；
对等待设定时间的具有光刻胶层的晶圆衬底进行曝光后烘焙、显影及坚膜烘焙，得到光刻胶层图形。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设定的时间为大于等于30秒。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设定的时间为30～45秒。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶圆衬底具有的光刻胶层厚度为大于等于40000埃。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶圆衬底具有的光刻胶层的材料为I线光刻胶、G线光刻胶或H线光刻胶。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶圆衬底具有的光刻胶层采用正胶或负胶。
7.如权利要求1～3任一所述的方法，其特征在于，所述对曝光后的具有光刻胶层的晶圆衬底等待设定的时间过程为：
在室温中，对曝光后的具有光刻胶层的晶圆衬底等待设定的时间。
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