[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述像素区域内还设置有形成双层结构的栅线和/或数据线的连接电极。

2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述连接电极包括与所述栅线同层设置并在同一次构图工艺中形成的第一连接电极，所述栅线和第一连接电极上形成有栅绝缘层，所述栅绝缘层上开设有至少二个第一连接过孔，所述第一连接电极通过所述至少二个第一连接过孔与数据线连接，形成双层结构的数据线。

3.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述连接电极包括与所述数据线同层设置并在同一次构图工艺中形成的第二连接电极，所述数据线和第二连接电极形成在栅绝缘层上，所述栅绝缘层上开设有至少二个第二连接过孔，所述第二连接电极通过所述至少二个第二连接过孔与栅线连接，形成双层结构的栅线。

4.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述连接电极包括与所述栅线同层设置并在同一次构图工艺中形成的第一连接电极和与所述数据线同层设置并在同一次构图工艺中形成的第二连接电极，所述栅线和第一连接电极上形成有栅绝缘层，所述数据线和第二连接电极形成在栅绝缘层上，所述栅绝缘层上开设有至少二个第一连接过孔和至少二个第二连接过孔，所述第一连接电极通过所述至少二个第一连接过孔与数据线连接，形成双层结构的数据线，所述第二连接电极通过所述至少二个第二连接过孔与栅线连接，形成双层结构的栅线。

5.根据权利要求4所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述连接电极还包括与所述像素电极同层设置并在同一次构图工艺中形成的第四连接电极和第五连接电极，所述第四连接电极和第五连接电极形成在钝化层上，所述钝化层上开设有至少二个第四连接过孔和至少二个第五连接过孔，所述第四连接电极通过所述至少二个第四连接过孔与数据线连接，形成二个双层结构的数据线，所述第五连接电极通过所述至少二个第五连接过孔与第二连接电极连接，形成二个双层结构的栅线。

6.根据权利要求1～5任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，还包括与所述栅线同层设置并在同一次构图工艺中形成的公共电极线，所述连接电极包括与所述数据线同层设置并在同一次构图工艺中形成的第三连接电极，所述第三连接电极形成在栅绝缘层上，所述栅绝缘层上开设有至少二个第三连接过孔，所述第三连接电极通过所述至少二个第三连接过孔与公共电极线连接，形成双层结构的公共电极线。

7.一种TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、形成包括栅线、数据线、有源层、源电极和漏电极的图形，所述栅线和/或数据线为双层结构；

步骤2、在完成步骤1的基板上沉积钝化层，形成包括钝化层过孔的图形，所述钝化层过孔位于所述漏电极的所在位置；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积透明导电薄膜，形成包括像素电极的图形，所述像素电极通过所述钝化层过孔与漏电极连接。

8.根据权利要求7所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤1包括：

步骤11、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅电极、栅线和第一连接电极的图形；

步骤12、在完成步骤11的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜，通过构图工艺形成包括有源层和第一连接过孔的图形，至少二个第一连接过孔位于所述第一连接电极的所在位置；

步骤13、在完成步骤12的基板上沉积源漏金属薄膜，通过构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形，所述数据线通过所述至少二个第一连接过孔与所述第一连接电极连接，形成双层结构的数据线。