[发明专利]混合激发的纳米薄膜发光屏无效
| 申请号： | 200910083926.0 | 申请日： | 2009-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101553062A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 徐征;赵谡玲;张福俊 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | H05B33/12 | 分类号： | H05B33/12;H05B33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100044北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 混合 激发 纳米 薄膜 发光 | ||
【权利要求书】：
1.一种混合激发的纳米薄膜发光屏，其特征在于：
它的结构包括：在ITO导电玻璃(1)上，依次制作纳米薄膜发光层(2)，电子加速层(3)和Al电极(4)；驱动电源采用直流电源或交流电源。
2.根据权利要求1所述的混合激发的纳米薄膜发光屏，其特征在于：在ITO导电玻璃(1)和纳米薄膜发光层(2)之间制作半阻挡层(5)，允许空穴注入，限制电子输出。
3.根据权利要求1或2所述的混合激发的纳米薄膜发光屏，其特征在于：纳米薄膜发光层(2)的材料采用ZnS；电子加速层(3)的材料采用SiO2；半阻挡层(5)的材料用SiO2。
4.根据权利要求1或2所述的混合激发的纳米薄膜发光屏，其特征在于：纳米薄膜发光层(2)的厚度10～100nm，电子加速层(3)的厚度100～500nm，允许空穴注入的半阻挡层(5)的厚度5～20nm。
5.根据权利要求1所述的混合激发的纳米薄膜发光屏，其特征在于：驱动电源采用直流时，Al电极接负，电源电压幅值100～200V；驱动电源采用交流时，电源电压幅值50～100V，频率为50～500Hz。
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