[发明专利]一种半导体纳米线音叉式气体浓度传感器及其制备方法无效
申请号: | 200910083771.0 | 申请日: | 2009-05-13 |
公开(公告)号: | CN101561381A | 公开(公告)日: | 2009-10-21 |
发明(设计)人: | 冯红彬;李景虹;黄瑾 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G01N5/00 | 分类号: | G01N5/00;G01D5/02 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 朱 琨 |
地址: | 100084北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 纳米 音叉 气体 浓度 传感器 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体纳米线音叉式气体浓度传感器,其特征在于,由一个去帽后的石英音叉以及粘在所述石英音叉的两个叉头上单根刚直的SnO2纳米线所构成。
2.根据权利要求1所述的一种半导体纳米线音叉式气体浓度传感器,其特征在于,所述半导体纳米线采用氧化锌纳米线或氧化铟纳米线。
3.根据权利要求1所述的一种半导体纳米线音叉式气体浓度传感器,其特征在于,所用的石英音叉是商用的。
4.一种半导体纳米线音叉式气体浓度传感器的制备方法,其特征在于,依次含有以下步骤:
(1)将商用的石英音叉去帽,用纯净水清洗音叉的叉头,用氮气吹干备用;
(2)在显微镜下将一根刚直的半导体纳米线固定在音叉的两叉头上,构成一种半导体纳米线音叉式气体浓度传感器;
(3)将步骤(2)中所述的音叉式气体浓度传感器放入密闭干燥室内干燥24小时。
5.根据权利要求4所述音叉气体传感器的制备方法,其特征是选用的半导体纳米线是氧化锌或氧化铟纳米线。
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