[发明专利]CMOS图像传感器电路结构及其制作方法

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器电路结构，包括浮动扩散，所述浮动扩散包括PN结电容器， 其特征在于，所述PN结电容器的上方设有遮光层；

所述遮光层由金属层构成，或者由以下至少一种材料构成：TiN、TaN，或者由以下 任一种双层材料构成：Ti/TiN、Ta/TaN；

该电路结构还包括MIP电容，所述MIP电容自下而上依次包括下电极多晶硅层、绝缘 介质层和上电极金属层，所述绝缘介质层和上电极金属层与所述遮光层处于该电路结构 的同一层次上。

2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器电路结构，其特征在于，该电路结构还包 括转移晶体管及其多晶硅栅极，所述多晶硅栅极与所述下电极多晶硅层处于该电路结构 的同一层次上。

3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器电路结构，其特征在于，所述PN结电容器 由P阱和N型重掺杂区构成。

4.一种权利要求1至3任一项所述的CMOS图像传感器电路结构的制作方法，其特征在 于，包括步骤：

首先，在硅衬底材料中，用离子植入的方法制作PN结电容器；

然后，在所述硅衬底材料的上方制作遮光层。

5.根据权利要求4所述的CMOS图像传感器电路结构的制作方法，其特征在于，所述 制作遮光层与制作MIP电容上电极金属层同时进行。

6.根据权利要求5所述的CMOS图像传感器电路结构的制作方法，其特征在于，在制 作好PN结电容器的硅衬底材料上，首先通过沉积、刻蚀的方法制作MIP电容的下电极多晶 硅层，同时制作转移晶体管的多晶硅栅极，并在所述下电极多晶硅层和多晶硅栅极的侧 面形成侧壁电介质；

然后，依次沉积绝缘介质层和金属层，并通过刻蚀的方法制作遮光层及MIP电容的绝 缘介质层和上电极金属层。

7.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器电路结构的制作方法，其特征在于，所述 MIP电容的下电极多晶硅层和转移晶体管的多晶硅栅极的材料为掺P型杂质多晶硅或者掺N 型杂质多晶硅。

8.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器电路结构的制作方法，其特征在于，所述 绝缘介质层用等离子增强化学气相淀积法形成，材料包括以下至少一种材料SiO₂、Si₃N₄、 SiOxNy；

或者，用原子层化学气相淀积法形成，材料包括以下至少一种材料：HfO₂、ZrO₂、 Al₂O₃、Ta₂O₅；

或者，用热氧化所述下电极多晶硅形成SiO₂层，该SiO₂层即为所述绝缘介质层。

9.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器电路结构的制作方法，其特征在于，所述 金属层用物理气相淀积法或者化学气相淀积法形成，材料包括以下至少一种材料：Ti、 Ta。