[发明专利]一种用于交叉阵列结构存储器的整流器件

权利要求书

1.一种用于交叉阵列结构存储器的整流器件，其特征在于，包括：

下电极；

上电极；以及

包含在上电极和下电极之间的功能层薄膜。

2.根据权利要求1所述的用于交叉阵列结构存储器的整流器件，其特征在于，所述上电极和下电极采用Pt、Ag、Pd、W、Ti、Al、Cu、TiN、ITO、IZO、YBCO、LaAlO₃、SrRuO₃和多晶Si中的任一种。

3.根据权利要求1所述的用于交叉阵列结构存储器的整流器件，其特征在于，所述功能层薄膜采用NiO、TiO₂、CuO_x、ZrO₂、Ta₂O₅、Al₂O₃、CoO、HfO_x、MoO_x、ZnO、PCMO、LCMO、SrTiO₃、BaTiO₃、SrZrO和非晶硅中的任一种材料。

4.根据权利要求1所述的用于交叉阵列结构存储器的整流器件，其特征在于，所述功能层薄膜采用经过掺杂改性后的NiO、TiO₂、CuO_x、ZrO₂、Ta₂O₅、Al₂O₃、CoO、HfO_x、MoO_x、ZnO、PCMO、LCMO、SrTiO₃、BaTiO₃、SrZrO和非晶硅中的任一种材料。

5.根据权利要求1所述的用于交叉阵列结构存储器的整流器件，其特征在于，所述功能层薄膜的厚度为10至200nm。

6.根据权利要求1所述的用于交叉阵列结构存储器的整流器件，其特征在于，所述上电极与所述功能层薄膜之间接触形成整流特性；或者

所述下电极与所述功能层薄膜之间接触形成整流特性。

7.根据权利要求1所述的用于交叉阵列结构存储器的整流器件，其特征在于，该器件开始处于低阻状态，并且在低阻态具有整流作用；或者

该器件开始处于高阻状态，通过施加一电压变成低阻态后具有整流作用。

8.根据权利要求1所述的用于交叉阵列结构存储器的整流器件，其特征在于，该器件处于低阻态后，电阻不会再发生转变；或者

该器件处于低阻态后，需要施加一大于3V的电压才能发生电阻转变。

9.根据权利要求1所述的用于交叉阵列结构存储器的整流器件，其特征在于，该整流器件处于低阻态时是局域通道导电，当器件面积缩小时，该整流器件的电流不显著减小，从而使得整流器件在小尺寸时获得很高的电流密度。