[发明专利]一种对硅片进行气体线切割的装置

权利要求书

1.一种对硅片进行气体线切割的装置，其特征在于，该装置包括流量控制器(1)、减压阀(2)、压力表(3)、真空泵(4)、真空腔压力表(5)、真空腔温度控制装置(6)、真空腔室(7)、喷头(8)、掩蔽板(9)、硅片架(10)、后级泵(11)和尾气处理装置(12)，其中：减压阀(2)、真空泵(4)、真空腔压力表(5)、真空腔温度控制装置(6)和后级泵(11)分别连接于真空腔室(7)，气体依次通过流量控制器(1)、减压阀(2)和喷头(8)进入真空腔室(7)，然后经过掩蔽板(9)的掩蔽和束流汇聚调节，对硅片架(10)上的硅片进行切割，真空腔室(7)通过真空腔温度控制装置(6)将温度控制在室温环境下，刻蚀完的尾气通过后级泵(11)抽出真空腔室(7)，并由后级泵(11)进入尾气处理装置(12)。

2.根据权利要求1所述的对硅片进行气体线切割的装置，其特征在于，所述气体为三氟化氯。

3.根据权利要求1所述的对硅片进行气体线切割的装置，其特征在于，所述真空泵(4)对真空腔室(7)进行抽真空，将真空腔室(7)内的压力维持在10^-7atm，通过真空腔压力表(5)监视真空腔室(7)内的压力。

4.根据权利要求1所述的对硅片进行气体线切割的装置，其特征在于，所述流量控制器(1)一端连接于存储气体的钢瓶，一端通过减压阀(2)连接于真空腔室(7)，气体通过流量控制器(1)调节流量，再经过减压阀(2)减压，最后经过喷头(8)进入真空腔室(7)。

5.根据权利要求1所述的对硅片进行气体线切割的装置，其特征在于，所述气体经过减压阀(2)减压后压力减到10Pa，并通过压力表(3)指示压力，此时混合气体压力与背景压力比为1000。

6.根据权利要求1所述的对硅片进行气体线切割的装置，其特征在于，所述气体从喷头(8)喷出，经过掩蔽板(9)的掩蔽和束流汇聚调节，打到硅片架(10)上的硅片上，在气体的化学腐蚀的作用下，切割硅片。

7.根据权利要求1所述的对硅片进行气体线切割的装置，其特征在于，所述尾气处理装置(12)采用氢氧化钙或小苏打对尾气进行吸收处理。