[发明专利]一种抑制多注速调管双间隙耦合腔π模振荡的装置有效
申请号: | 200910082793.5 | 申请日: | 2009-04-29 |
公开(公告)号: | CN101707174A | 公开(公告)日: | 2010-05-12 |
发明(设计)人: | 丁耀根;丁海兵;孙小欣 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电子学研究所 |
主分类号: | H01J23/00 | 分类号: | H01J23/00;H01J25/10 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100080 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 抑制 速调管 间隙 耦合 振荡 装置 | ||
技术领域
本发明涉及微波电真空器件技术领域,是一种抑制多注速调管双间隙 耦合腔π模振荡,降低杂谱电平的装置。
背景技术
为了扩展多注速调管的带宽,通常采用双间隙耦合腔作为宽带输出电 路。由于双间隙耦合腔输出电路的二个谐振腔间存在内部反馈,在一定条 件下,会引起高次模式振荡,使多注速调管不能正常工作。此外,在高频 激励下,由于电子注速度变化或少量反转电子和二次电子的存在,将激励 高次模式,形成杂谱,降低了输出频谱的质量,引起发射机输出波导打火 和干扰其它微波电子系统。因此,抑制多注速调管高次模振荡和降低杂谱 电平无论对提高多注速调管性能和保证其在微波电子系统中正常工作均 具有重要意义。
抑制多注速调管振荡可在双间隙耦合腔中的一个谐振腔上外加吸收 腔,通过耦合口进行耦合,但只能抑制一个高次模式的振荡。该装置对具 有π模场形分布的高次模的加载大,而对具有2π模场形分布的工作模 式的加载很小。
发明内容
本发明的目的是公开一种抑制多注速调管双间隙耦合腔π模振荡的 装置,能有效地抑制多注速调管双间隙耦合腔π模振荡,降低杂谱电平。
为了达到上述目的,本发明的技术解决方案是:
一种抑制多注制速调管双间隙耦合腔π模振荡的装置,其包括耦合 环,吸收腔,微波吸收材料,调谐螺钉;其中,中空的吸收腔一端封闭, 另一端有一纵向通孔,通孔内设有棒状Γ形金属耦合环,耦合环与吸收 腔共轴,外端伸出吸收腔外;
Γ形耦合环内端为直角形弯曲,内端头与吸收腔内壁固接;
吸收腔内与固接耦合环内端头侧壁相对的侧壁上,轴向密封设有两 个调谐螺钉,调谐螺钉的调谐槽伸出吸收腔外,一个调谐螺钉与耦合环内 端头相对,另一个调谐螺钉位于耦合环内端头与吸收腔封闭端之间;
在耦合环内端头到吸收腔封闭端之间的部分内腔壁上有微波吸收材 料;
在多注速调管双间隙输出腔腔体相对应于输出波导耦合口的侧壁上 设一通孔,通孔内径与吸收腔有耦合环的一端外形相适配;吸收腔有耦合 环的一端插入该通孔内,与输出腔腔体密配合后,将吸收腔固接在多注速 调管双间隙输出腔腔体中部耦合缝对应的腔壁上,其耦合环伸入输出腔腔 体内的外端固接在双间隙输出腔的耦合缝的内壁上;
吸收腔轴线与输出腔腔体的轴线垂直。
所述的装置,其所述吸收腔腔壁上涂覆的微波吸收材料,为FeSiAl 衰减材料,其相对介电常数在20~25范围内,损耗正切在0.6~0.8范围 内;微波吸收材料涂覆在吸收腔后部封闭端面和四周,涂覆长度L1约占 吸收腔长度L2的0.4~0.6。
所述的装置,其所述耦合环、吸收腔、调谐螺钉的材料为无氧铜;耦 合环由金属片制成,其宽度W为3~5mm,厚度D为1.5~2.5mm;耦合环 为Γ形,其高度H为3~4mm,长度L为12~14mm。
所述的装置,其所述耦合环内端头与吸收腔内壁固接,吸收腔固接在 多注速调管双间隙输出腔腔壁上,耦合环外端固接在双间隙输出腔的耦合 缝内壁上,其固接,是通过高温钎焊方式焊接。
本发明的主要优点:体积小,制备和装配工艺简单;衰减材料涂覆和 烧结在吸收腔内表面,散热好,出气小。该装置对具有π模场形分布的 高次模的加载大,而对具有2π模场形分布的工作模式的加载很小。因而 能保证在抑制高次模振荡和降低杂谱电平的同时,对多注速调管的效率和 功率-频宽特性影响很小。
附图说明
图1(a)是本发明的抑制多注速调管双间隙耦合腔π模振荡的装置 立体示意图;
图1(b)是图1(a)的A-A剖视图;
图2(a)是多注速调管双间隙输出腔加载本发明的抑制多注速调管双 间隙耦合腔π模振荡的装置示意图;
图2(b)是耦合缝处剖视图。
具体实施方式
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