[发明专利]构造间隙壁的方法

权利要求书

1.一种构造间隙壁的方法，包括如下步骤：

根据所要构造的间隙壁的厚度值w1以及主蚀刻时间最短的原则，确定所需的氮化硅薄膜厚度值w2，其中w2＞w1；

在由单晶硅基底以及覆盖于单晶硅基底表面的多晶硅结构组成的晶片表面沉积一定厚度的氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜的厚度大于厚度值w2；

采用各向同性的蚀刻方式削减晶片表面的氮化硅薄膜厚度，使氮化硅薄膜厚度达到w2的大小；

对所述晶片进行方向垂直于基底所在平面的主蚀刻过程，构造出厚度为w1的间隙壁。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用各向同性的蚀刻方式削减晶片表面的氮化硅薄膜厚度，使氮化硅薄膜厚度达到w2的大小包括：

根据氮化硅薄膜厚度w2以及晶片表面沉积的氮化硅薄膜厚度，得到需要削减的氮化硅薄膜厚度值，并根据所述需要削减的氮化硅薄膜厚度值，得到反应时间T；

将所述晶片置于抽真空的反应室内，并向所述反应室内通入反应气体；将所述反应气体电离，并将所述反应室置于无偏压环境中，蚀刻反应的时长为所述反应时间T。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述反应气体的成分包含氧气O₂。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对所述晶片进行方向垂直于基底所在平面的主蚀刻过程的步骤包括：

对所述反应室加预定强度的偏压，所述偏压方向垂直于基底所在平面，并向反应室内通入反应气体，所述反应气体中氧气的流量为20sccm至40sccm。

5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，在所述晶片表面沉积一定厚度的氮化硅薄膜的步骤之前包括：在所述晶片表面沉积氧化硅薄膜；

则所述氮化硅薄膜沉积在氧化硅薄膜的上表面。