[发明专利]带有光子晶体反射面和垂直出射面的FP腔激光器有效
| 申请号： | 200910081992.4 | 申请日： | 2009-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN101867148A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 郑婉华;周文君;陈微;邢名欣;刘安金;陈良惠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/10;H01S5/343;H01S5/068;H01S5/042 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 带有 光子 晶体 反射 垂直 出射面 fp 激光器 | ||
1.一种带有光子晶体反射面和垂直出射面的FP腔激光器，其特征在于，该激光器包括：
带有有源区的FP腔结构；
位于该FP腔结构高反射端的反射面；以及
位于该FP腔结构出射端的反射面。
2.根据权利要求1所述的带有光子晶体反射面和垂直出射面的FP腔激光器，其特征在于，所述FP腔结构的长度为10微米，采用AlGaInAs/InP多量子阱材料作为有源区。
3.根据权利要求1所述的带有光子晶体反射面和垂直出射面的FP腔激光器，其特征在于，所述位于该FP腔结构高反射端的反射面由宽禁带光子晶体区域组成，且激射波长在禁带内，反射率高于具有带边慢光模式的光子晶体。
4.根据权利要求3所述的带有光子晶体反射面和垂直出射面的FP腔激光器，其特征在于，所述宽禁带光子晶体区域采用有源材料，或者采用无源的InP材料，其中有源材料包含GaAs材料系、GaN材料系或GaSb材料系。
5.根据权利要求1所述的带有光子晶体反射面和垂直出射面的FP腔激光器，其特征在于，所述该FP腔结构出射端的反射面由具有带边慢光模式的光子晶体区域组成，反射率低于宽禁带光子晶体。
6.根据权利要求5所述的带有光子晶体反射面和垂直出射面的FP腔激光器，其特征在于，所述FP腔结构中产生的激光进入该具有带边慢光模式的光子晶体区域形成带边慢光模式，从而在垂直方向上出射。
7.根据权利要求5所述的带有光子晶体反射面和垂直出射面的FP腔激光器，其特征在于，所述具有带边慢光模式的光子晶体区域采用宽禁带光子晶体结构来包围。
8.根据权利要求5所述的带有光子晶体反射面和垂直出射面的FP腔激光器，其特征在于，所述具有带边慢光模式的光子晶体区域采用有源材料，或者采用无源的InP材料，其中有源材料包含GaAs材料系、GaN材料系或GaSb材料系。
9.根据权利要求1所述的带有光子晶体反射面和垂直出射面的FP腔激光器，其特征在于，该激光器采用电注入输入模式，电极制作在FP腔结构所在区域内。
10.根据权利要求1所述的带有光子晶体反射面和垂直出射面的FP腔激光器，其特征在于，该激光器的工作波长在1.55微米的红外波段附近。
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