[发明专利]顶栅ZnO多纳米线场效应晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种制作顶栅ZnO多纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，该方法包括：

步骤101：在衬底表面生长SiO₂介质；

步骤102：在生长的SiO₂介质上制作底层源漏电极；

步骤103：超声降解ZnO纳米线材料；

步骤104：将纳米线放至底层源漏电极之上，实现多根悬浮ZnO纳米线的规则排列；

步骤105：在底层源漏电极之上制作覆盖ZnO纳米线的顶层源漏电极；

步骤106：在ZnO纳米线之上生长栅氧介质层；

步骤107：在栅氧介质层之上制作顶栅电极。

2.根据权利要求1所述的制作顶栅ZnO多纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，步骤101中所述在衬底表面生长SiO₂介质采用PECVD方法。

3.根据权利要求1所述的制作顶栅ZnO多纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，步骤102中所述在生长的SiO₂介质上制作底层源漏电极，是通过光刻、蒸发和剥离步骤实现的。

4.根据权利要求1所述的制作顶栅ZnO多纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，所述步骤103具体包括：

将ZnO纳米线材料放入异丙醇溶液内，超声降解后，ZnO纳米线被分散在溶液内，以减少一维纳米线材料之间的相互缠绕。

5.根据权利要求1所述的制作顶栅ZnO多纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，所述步骤104具体包括：

将含有ZnO纳米线的溶液滴于源漏电极之间的区域，利用交流双向介电电泳原理，在源漏电极两端施加交流电压，形成非均匀电场，并使电场内的中性微粒产生极化；由于非均匀电场内存在电场梯度，极化微粒两端受到的电场库仑力不平衡，库仑力的合力矩将驱动微粒运动；ZnO纳米线在电场的作用下，由杂乱无序的排列逐渐变为较一致的取向，实现批量ZnO纳米线的可控驱动与初步定位；然后，再利用基于AFM的纳米操控技术，精确操控指定的ZnO纳米线，将纳米线放至底层源漏电极之上，实现多根悬浮ZnO纳米线的规则排列，与源漏电极的精确组装，并将多余纳米线拨离源漏电极。

6.根据权利要求1所述的制作顶栅ZnO多纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，所述步骤105具体包括：

在底层源漏电极之上制作覆盖ZnO纳米线的顶层源漏电极，是通过光刻、蒸发和剥离步骤实现的。

7.根据权利要求1所述的制作顶栅ZnO多纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，步骤107中所述在栅氧介质层之上制作顶栅电极，是通过光刻、蒸发和剥离步骤实现的。